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公开(公告)号：CN113471277A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110320182.0
申请日：2021-03-25
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/417 , H01L29/861
Abstract: 提供能抑制外部配线和半导体层之间的电阻，且抑制在外部配线连接时由于异物而在半导体层出现损伤的频率的半导体装置。根据一个方式，半导体装置具有：缓冲层，其设置于第2半导体层的表面之上，在俯视观察时具有至少1个开口；以及电极，其设置于第2半导体层及缓冲层的上侧，通过至少1个开口与第2半导体层接触，缓冲层的维氏硬度比电极的维氏硬度高，在将缓冲层的厚度设为s，将电极的厚度设为t，Wth＝2×(s×t‑s2)0.5的情况下，至少1个开口各自的宽度w满足w
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