公开(公告)号：CN101236964A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200710162904.4

申请日：2007-09-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 广田庆彦 ,  田所千广

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/488 ,  H01L27/08 ,  H02M1/00 ,  H03K17/08

CPC classification number: H01L27/0761 ,  H01L27/0727 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体装置(50)具有晶体管(T)、二极管(D1)、二极管(D2)。晶体管(T)的集电极(C)与二极管(D1)的阴极(K1)电连接。晶体管(T)的集电极(C)与二极管(D2)的阴极(K2)电连接，并且，晶体管(T)的发射极(E)与二极管(D2)的阳极(A2)电连接。二极管(D1)与二极管(D2)形成在同一衬底上。由此，可以谋求小型化以及减少制造步骤。

公开(公告)号：CN1705136A

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN200510054479.8

申请日：2005-03-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 友松佳史 ,  高桥英树 ,  田所千广

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/66348 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7397

Abstract: 提供一种在CSTBT中能够控制栅极电容和短路电流且抑制了阈值电压偏离的绝缘栅型半导体器件。作为在P基极区域(104)和半导体衬底(103)之间形成、并且具有比半导体衬底(103)的杂质浓度高的载流子存储层(113)的CSTBT，其栅电极(110)周边部分的P基极区域(104)部具有沟道功能，在载流子存储层(113)中，设沟道正下方的载流子存储层区域(113a)的杂质浓度为ND1、沟道正下方之外的载流子存储层区域(113b)的杂质浓度为ND2时，ND1＜ND2。