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公开(公告)号:CN111316553B
公开(公告)日:2023-09-29
申请号:CN201880072470.5
申请日:2018-08-29
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 整流器(100)将从输入端子(5)输入的高频功率转换为直流功率并从输出端子(6)输出。整流器(100)包括将高频功率转换为直流功率的整流部(1)以及阻抗可变部(4),该阻抗可变部(4)的一端连接至整流部(1)与输出端子(6)的连接点,另一端施加有基准电压,该阻抗可变部(4)的阻抗相对于直流功率的电压的绝对值具有负相关地进行变化。在直流功率的电压的绝对值比整流部(1)所具有的整流元件的反向耐压以下的预先确定的值要大的情况下,从整流部(1)观察到的阻抗可变部(4)的阻抗是可视为短路的值。
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公开(公告)号:CN115176417A
公开(公告)日:2022-10-11
申请号:CN202080097102.3
申请日:2020-02-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03H11/20
Abstract: 移相器(1)具备第1移相电路(11),当从分配输入信号的90度分配器(10)输出第1信号、与第1信号之间具有90度的相位差的第2信号、与第1信号之间具有180度的相位差的第3信号、以及与第1信号之间具有270度的相位差的第4信号时,如果输入信号的频率包含在第1频带中,则第1移相电路(11)按照输入信号的移相量,将第1信号至第4信号中的任意3个信号分别放大,并输出放大后的3个信号的合成信号。此外,移相器(1)具备第2移相电路(12),如果在不与第1频带重叠且与第1频带连续的第2频带中包含输入信号的频率,则该第2移相电路(12)按照移相量,将任意3个信号中的任意2个信号和第1信号至第4信号中的没有被第1移相电路(11)放大的1个信号分别放大,并输出放大后的3个信号的合成信号。而且,移相器(1)构成为,第1移相电路(11)和第2移相电路(12)中的1个以上的移相电路具备对合成信号的相位误差进行补偿的补偿电路。
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公开(公告)号:CN115362428A
公开(公告)日:2022-11-18
申请号:CN202180027180.0
申请日:2021-04-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G06F1/10
Abstract: 延迟同步电路(3)构成为具有:脉冲合成电路(11),其生成包含与基准信号同步的第1脉冲信号和与反馈信号同步的第2脉冲信号的合成信号;VCDL(12),其使由脉冲合成电路(11)生成的合成信号延迟,输出延迟后的合成信号即延迟信号;脉冲分离电路(13),其生成与从VCDL(12)输出的延迟信号所包含的第1脉冲信号同步的第1分离信号,生成与延迟信号所包含的第2脉冲信号同步的第2分离信号;环形器(14),其在将由脉冲分离电路(13)生成的第1分离信号输出到时钟接收电路(21)后,将从时钟接收电路(21)返回的第1分离信号作为反馈信号输出到脉冲合成电路(11);以及延迟量控制电路(15),其按照基准信号与由脉冲分离电路(13)生成的第2分离信号之间的相位差,控制VCDL(12)中的合成信号的延迟量。
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公开(公告)号:CN111937301A
公开(公告)日:2020-11-13
申请号:CN201880091988.3
申请日:2018-04-18
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor: 津留正臣
Abstract: 将第1电阻(11)~第4电阻(14)和第1电容器(21)~第4电容器(24)串联连接成环状。将第1输出端子(41)~第4输出端子(44)连接于第1电阻(11)~第4电阻(14)和第1电容器(21)~第4电容器(24)的串联连接点,将第1输入端子(31)连接于第4电容器(24)与第1电阻(11)的串联连接点,将第2输入端子(32)连接于第2电容器(22)与第3电阻(13)的串联连接点。另外,在第1电容器(21)与第2电阻(12)的串联连接点和第3电容器(23)与第4电阻(14)的串联连接点之间连接第5电阻(15)。
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公开(公告)号:CN1384985A
公开(公告)日:2002-12-11
申请号:CN00815028.1
申请日:2000-08-30
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 用以处理微波波段和毫米波波段的高频信号的高频线路,包括:半导体基片21;半导体基片21下侧设置的接地导体22;半导体基片21上侧设置的、比半导体基片21具有更高有效介电常数的绝缘体23;设置在绝缘体23上侧形成的沟部24且形成有中央部分低于端部的凹状的带状导体25。
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