公开(公告)号：CN110802224A

公开(公告)日：2020-02-18

申请号：CN201810886110.0

申请日：2018-08-06

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 松本纪久 ,  千叶原宏幸 ,  邱虹华 ,  王俊勃 ,  刘松涛 ,  杨敏鸽 ,  姜凤阳 ,  李笑然 ,  张娇娇 ,  曹嫚嫚

IPC: B22F1/02 ,  C23C18/44 ,  H01H1/0237

Abstract: 本发明涉及银镍氧化锡复合粉体及银镍氧化锡电接触材料的制备方法。制备方法包含：步骤1，将二氧化锡粉体与镍粉在惰性气体气氛中进行混合搅拌；以及步骤2，将经步骤1得到的混合粉体与银氨溶液混合，针对所得的混合物利用还原剂经过化学沉积法而制备出银镍氧化锡复合粉体。还可以包含：步骤3，将经步骤2得到的银镍氧化锡复合粉体依次进行成型、烧结处理，得到银镍氧化锡电接触材料。根据本发明，解决了现有电接触材料在制备过程中存在的生产周期长、银用量高、氧化物易于偏聚及工艺复杂等问题。

公开(公告)号：CN101044603A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200580035904.7

申请日：2005-10-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 熊田辉彦 ,  保田直纪 ,  信时英治 ,  松本纪久 ,  松野繁

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/31 ,  H01L21/768 ,  C23C16/38 ,  C23C16/509

CPC classification number: C23C16/38 ,  H01L21/318 ,  H01L21/76801

Abstract: 本发明提供等离子体CVD装置，其具备供给含有硼嗪骨架的化合物的设备(5)、为了发生等离子体的等离子体发生器、在设置基板(8)的电极(7)上施加负电荷的设备(2)。根据这样的本发明，可以提供长期稳定地获得低介电常数和高机械强度，同时降低在加热膜时放出的气体成分(脱气)量，在器件制造工艺上不引起不适宜情况的等离子体CVD装置。