半导体装置的制造方法
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114981937A

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202080093359.1

    申请日:2020-08-13

    Abstract: 提供一种半导体装置的制造方法,能够抑制在对接合材料接合半导体元件时该半导体元件破损。半导体装置的制造方法具备准备基板(1)的工序、供给的工序以及接合的工序。在供给的工序中,向基板(1)的表面(1a)上供给烧结性金属接合材料(22)。在接合的工序中,经由烧结性金属接合材料(22)将半导体元件接合到基板(1)。在供给的工序中,在基板(1)的表面(1a)上配置具有开口部(7)的金属掩模(6),使用涂刷器(9)对在开口部(7)的内部露出的基板(1)的表面部分(1aa)供给烧结性金属接合材料(22)。在供给的工序中,在俯视时,被供给烧结性金属接合材料(22)的基板(1)的表面部分(1aa)和在金属掩模(6)中涂刷器(9)接触的接触区域(6aa)是隔开间隔地配置的。

    半导体模块以及逆变器装置

    公开(公告)号:CN105408997B

    公开(公告)日:2018-05-08

    申请号:CN201480041510.1

    申请日:2014-07-31

    CPC classification number: H01L23/473 H01L23/3735 H01L25/072 H01L2224/32225

    Abstract: 在本发明的半导体模块(100)中,散热器(10a)具有:凸状部(11),凸平面(15)具有比与接合层(5)的接合面积小的面积;第1阶梯部(12),设置于凸状部(11)的端部,对应的部分的散热器(10a)的厚度比与凸状部(11)对应的部分的散热器(10a)的厚度薄;以及第2阶梯部(13),设置于第1阶梯部(12)的端部,对应的部分的散热器(10a)的厚度比与第1阶梯部(12)对应的部分更薄,接合层(5)在散热器(10a)的凸状部(11)以及第1阶梯部(12)处接合。

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