公开(公告)号：CN104347381A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410360240.2

申请日：2014-07-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 蔀拓一郎 ,  川濑祐介 ,  山下润一 ,  吉野学

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/308 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/02238

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制衬底翘曲的半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法具有：在衬底(15)的正面形成正面氮化膜(16A)，在该衬底的背面形成背面氮化膜(16B)的工序；在该正面氮化膜上形成保护膜(18)的工序；利用该保护膜保护该正面氮化膜，与此同时，利用湿蚀刻去除该背面氮化膜的工序；在去除该背面氮化膜之后，去除该保护膜的工序；对该正面氮化膜进行图案化而在该正面氮化膜上形成开口(20)的工序；以及在从该开口露出的该衬底的正面形成第1氧化膜(22)，与此同时，在该衬底的背面形成第2氧化膜(24)的工序。

公开(公告)号：CN103296031A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201210521787.7

申请日：2012-12-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 清水和宏 ,  山下润一 ,  蔀拓一郎

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F9/708 ,  B81C1/00603 ,  G03F9/7084 ,  H01L21/308 ,  H01L21/76256 ,  H01L21/764 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/54493 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种晶圆内部具备空腔图案（3）的SOI晶圆，也就是在SOI晶圆上进行曝光时，能以低成本进行曝光掩模的位置对准的SOI晶圆。本发明的SOI晶圆具备：支承衬底（1）和形成于支承衬底（1）上的绝缘层（2），在形成有绝缘层（2）的支承衬底（1）的一个主面形成有规定的空腔图案（3），还具备：堵塞该空腔图案（3）并形成于绝缘层（2）上的活性半导体层（5），活性半导体层（5）未形成于支承衬底（1）的外周部，还具备：形成于支承衬底（1）的上述一个主面侧的上述外周部，并确定空腔图案（3）的位置的多个叠合标记图案（4）。