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公开(公告)号：CN114640330A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202111507624.9
申请日：2021-12-10
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/16 , H03K17/567
Abstract: 本发明的目的在于提供稳定地防止与dV/dt施加相伴的误动作的半导体器件驱动电路。半导体器件驱动电路(HVIC1)具有：脉冲传送电路(7a、7b)，其基于电平移位接通脉冲信号(HONm)、电平移位断开脉冲信号(HOFFm)对接通脉冲传送信号(HON)、断开脉冲传送信号(HOFF)进行输出；dV/dt检测电路(9)，其基于信号(HONm、HOFFm)对dV/dt期间进行检测；逻辑滤波电路(4)，其在同时被输入了信号(HON、HOFF)的情况下不使输出(S_H、R_H)变化；以及锁存电路(5)，其输出与逻辑滤波电路(4)的输出同步的信号(Q_H)。脉冲传送电路(7a)具有在dV/dt期间使信号(HON、HOFF)的信号电平降低的阻抗调整部(8a、8b)。
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公开(公告)号：CN107112995B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201480084149.0
申请日：2014-12-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K19/0185 , H01L21/822 , H01L27/04
Abstract: 初级侧电路(2a)对应于输入信号(IN)而输出第1基准电位(GND)下的第1信号。电平移位主电路(3)通过将从初级侧电路(2a)接收到的第1信号的基准电位(GND)向第2基准电位(VS)变换，从而输出第2基准电位(VS)下的第2信号。次级侧电路(4a)通过使用第2信号而生成第2基准电位(VS)下的输出信号(OUT)。至少1个整流性元件电路(23)设置在初级侧电路(2a)和次级侧电路(4a)之间。初级侧电路(2a)及次级侧电路(4a)的至少任一者具有至少1个检测电路(24、25)，该至少1个检测电路(24、25)通过对在整流性元件电路(23)流动的电流的变化进行检测，从而对与第2基准电位(VS)相对应的电位(VE2)是否小于或等于与第1基准电位(GND)相对应的电位(VE1)进行检测。
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公开(公告)号：CN111211763A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201911119278.X
申请日：2019-11-15
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/0812 , H03K17/687
Abstract: 本发明的目的在于减小高电位侧驱动电路的芯片面积。本发明的高电位侧驱动电路将第1电位作为电源电位，该高电位侧驱动电路具备：恒压电路，其将第2电位作为基准电位而进行动作，根据第1电位生成比第1电位低且比第2电位高的第3电位；逻辑电路，其将第3电位作为基准电位而进行动作；电平移位电路，其接收逻辑电路的输出信号，将输出信号的基准电位从第3电位移位为第2电位；以及驱动电路，其将通过电平移位电路移位后的第2电位作为基准电位，通过逻辑电路的输出信号对开关元件进行驱动。
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公开(公告)号：CN106663595B
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201480081664.3
申请日：2014-09-01
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体装置(301、303)使用了半导体芯片组之中的至少1个。半导体装置具有半导体芯片组所包含的一个半导体芯片(201、202)和封装件(401)。一个半导体芯片具有记录有第1识别信息的信息记录区域(250)，该第1识别信息表示半导体芯片组之中的一个半导体芯片以第1分类为基准属于哪个组。信息记录区域具有与第1识别信息相对应地选择性地熔断后的多个熔断器。在封装件显示有第2识别信息，该第2识别信息表示半导体芯片组之中的一个半导体芯片以第2分类为基准属于哪个组。通过将第1及第2识别信息相互组合，从而能够从半导体芯片组确定一个半导体芯片。
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公开(公告)号：CN107251433A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201580076281.1
申请日：2015-02-16
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/16 , H03K17/687
Abstract: 半导体器件驱动电路具有第1驱动电路(2a)以及第2驱动电路(5)。第1驱动电路(2a)生成对电压控制型开关元件进行控制的控制信号。第1驱动电路(2a)与输入至第1驱动电路(2a)的电压信号同步地生成控制信号。第1驱动电路(2a)具有与电压信号的大小相应的输出电流能力。第2驱动电路(5)向第1驱动电路(2a)输出电压信号。第2驱动电路(5)包含对电压信号的大小进行调整的输出调整电路(4a)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106663595A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201480081664.3
申请日：2014-09-01
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体装置(301、303)使用了半导体芯片组之中的至少1个。半导体装置具有半导体芯片组所包含的一个半导体芯片(201、202)和封装件(401)。一个半导体芯片具有记录有第1识别信息的信息记录区域(250)，该第1识别信息表示半导体芯片组之中的一个半导体芯片以第1分类为基准属于哪个组。信息记录区域具有与第1识别信息相对应地选择性地熔断后的多个熔断器。在封装件显示有第2识别信息，该第2识别信息表示半导体芯片组之中的一个半导体芯片以第2分类为基准属于哪个组。通过将第1及第2识别信息相互组合，从而能够从半导体芯片组确定一个半导体芯片。
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公开(公告)号：CN117595847A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311010509.X
申请日：2023-08-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/567
Abstract: 提供能够改善功率开关器件的通断损耗的半导体装置驱动电路。具有：第1晶体管及第2晶体管，它们串联连接，在第1电压与比第1电压低的第2电压之间互补地进行动作；内部电源电路，其在第1电压与第2电压之间进行动作，具有恒定电压生成部和反馈部，该恒定电压生成部稳定地输出电压恒定的内部电源电压，该反馈部被输入第1晶体管与第2晶体管之间的连接节点的节点电压，根据所述节点电压的变化使从恒定电压生成部输出的内部电源电压改变；以及前置驱动器，其在第1电压与内部电源电压之间进行动作，对第1晶体管或第2晶体管进行驱动，将节点电压作为功率开关器件的栅极电压而输出。
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公开(公告)号：CN111211763B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201911119278.X
申请日：2019-11-15
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/0812 , H03K17/687
Abstract: 本发明的目的在于减小高电位侧驱动电路的芯片面积。本发明的高电位侧驱动电路将第1电位作为电源电位，该高电位侧驱动电路具备：恒压电路，其将第2电位作为基准电位而进行动作，根据第1电位生成比第1电位低且比第2电位高的第3电位；逻辑电路，其将第3电位作为基准电位而进行动作；电平移位电路，其接收逻辑电路的输出信号，将输出信号的基准电位从第3电位移位为第2电位；以及驱动电路，其将通过电平移位电路移位后的第2电位作为基准电位，通过逻辑电路的输出信号对开关元件进行驱动。
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公开(公告)号：CN115765702A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211063675.1
申请日：2022-09-01
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/567
Abstract: 本发明涉及半导体元件驱动电路及半导体元件驱动装置，目的在于提供能够降低通断损耗，提高短路耐量的技术。半导体装置具有第1开关和第1驱动器。第1开关基于来自传输电路的同步信号和相对于同步信号而延迟的延迟信号，选择电源电位及生成电位的一者作为第1开关输出电位而输出。第1驱动器基于传输电路的同步信号和第1开关输出电位，对双极晶体管元件的栅极进行充电。
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公开(公告)号：CN108432134B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN201580085300.7
申请日：2015-12-18
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体器件驱动电路具有：阈值调整电路，其输出阈值；不饱和电压检测电路，其在半导体开关元件的第1电极与第2电极之间的电压是不饱和电压的情况下，取得以预先确定的增加率增加的检测电压，且对上述检测电压是否比上述阈值高进行判定；以及驱动电路，其基于输入信号生成上述半导体开关元件的驱动信号，且在通过上述不饱和电压检测电路判定为上述检测电压比上述阈值高的情况下，将上述驱动信号维持为切断。上述阈值调整电路能够在第1电压与比上述第1电压低的第2电压之间对上述阈值进行切换，在上述半导体开关元件是断开状态的情况下将上述第1电压作为上述阈值输出，在上述半导体开关元件接通，上述第1电极与上述第2电极之间的电压是饱和电压的情况下，将上述第2电压作为上述阈值输出。
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