公开(公告)号：CN117497522A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202310938619.6

申请日：2023-07-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中田洋辅 ,  境纪和 ,  佐藤祐司 ,  横山吉典

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/31 ,  H01L23/12 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。目的在于提供一种能够容易地从半导体装置取出子模块，重新利用子模块的技术。半导体装置具有：子模块(1)，其将导体板(21)和经由第1接合材料(13)搭载于导体板(21)的上表面的半导体元件(11)通过第1封装材料(24)封装；绝缘基板(31)，其经由第2接合材料(12)接合至子模块(1)的下表面；壳体(33)，其包围绝缘基板(31)以及子模块(1)的周围；以及第2封装材料(34)，其以至少使子模块(1)的上表面露出的方式封装由壳体(33)围出的区域。

公开(公告)号：CN110235243A

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201780084722.1

申请日：2017-01-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 境纪和 ,  吉田博 ,  石桥秀俊 ,  浅地伸洋

IPC: H01L25/07 ,  H05K3/34 ,  B23K1/00 ,  H01L21/60 ,  H01L25/18

Abstract: 向铜基座板(3)配置金属掩模(51)。在金属掩模(51)的多个开口部(53)填充焊膏(15)，由此，在铜基座板(3)的铜板(5b、5c、5d)的每一者形成焊膏(15)的图案。在焊膏(15)的图案载置半导体元件(9、11)以及导电部件(13)。向铜基座板(3)配置金属掩模(55)。接下来，在金属掩模(55)的多个开口部(57)填充焊膏(17)，由此，形成覆盖半导体元件(9、11)以及导电部件(13)这两者的焊膏(17)的图案。以与对应的焊膏(17)的图案接触的方式配置大容量中继基板(21)。通过在大于或等于200℃的温度条件下进行热处理，功率半导体装置(1)完成。