公开(公告)号：CN108538793B

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN201810176053.7

申请日：2018-03-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 久我正一

IPC: H01L23/31 ,  H02M7/00

Abstract: 本发明得到能够使相对于耐压的可靠性提高的半导体功率模块及电力变换装置。在绝缘基板(1)的上表面形成有凹部(2)。基板电极(3)埋入至凹部(2)。半导体元件(5)形成于基板电极(3)之上。绝缘树脂(7)覆盖基板电极(3)的上端部。

公开(公告)号：CN106910666B

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201611199372.7

申请日：2016-12-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 久我正一

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/30

Abstract: 在本申请说明书中公开的技术涉及一种离子注入装置，该离子注入装置能够以容易的方法抑制半导体衬底的由放电导致的损坏。本技术涉及的离子注入装置具有：离子照射部(8)，其向半导体衬底(1)的表面照射离子；以及至少一个电极部(针电极(5)、针电极(6)、环状的电极(7)、环状的电极(7a))，其在半导体衬底(1)的端部的背面及侧面中的至少一者的附近处的能够与半导体衬底(1)之间放电的位置，与半导体衬底(1)分离地配置。

公开(公告)号：CN109155293A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201780028697.5

申请日：2017-04-24

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 根岸哲 ,  久我正一

IPC: H01L23/29 ,  H01L21/336 ,  H01L23/31 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 半导体装置(100)具备电力用半导体元件(10)、树脂膜(11)以及密封绝缘材料(13)。电力用半导体元件(10)包括：覆盖半导体基板(1)的一个主表面的第一区域(1c)的第一电极(3)；形成于半导体基板(1)的另一个主表面的第二电极(5)；形成于作为第一区域(1c)的外侧的第二区域(1d)的保护环(8)；以及在第二区域(1d)覆盖保护环(8)的非导电无机膜(9)。树脂膜(11)在俯视时与保护环(8)重叠，非导电无机膜(9)上的树脂膜(11)的厚度为35μm以上。树脂膜(11)是单层膜，树脂膜(11)的最外边缘(11b)具有在下侧变大的倒角形状。树脂膜(11)的最外边缘(11b)配置于比半导体基板(1)的最外边缘靠内侧的位置。