公开(公告)号：CN1199248A

公开(公告)日：1998-11-18

申请号：CN98104394.1

申请日：1998-02-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 上野修一 ,  奥村喜纪 ,  前田茂伸 ,  前川繁登

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/108 ,  H01L27/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/11526 ,  H01L21/76218 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/11546

Abstract: 提供一种半导体器件及其制造方法,既解决阈值和扩散层漏泄电流的权衡关系,又不必分几次形成栅极氧化膜。因N型沟道MOS晶体管T41～T43的栅极4A～4C中的氮的剂量各不相同,故氮导入区N1～N3的氮的浓度也各不相同,阈值要求越高,栅极中的氮的浓度越高,按照该顺序来构成。