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公开(公告)号：CN1519910A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN200410003106.3
申请日：2004-02-04
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 井原良和
IPC: H01L21/76 , H01L21/8222
CPC classification number: H01L21/76232 , H01L21/3081 , H01L21/823481
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，具有：在半导体基板的元件分离区域形成第一沟槽的工序；埋入第一沟槽内地形成由绝缘膜构成的第一膜的工序；在第一沟槽内形成比第一沟槽深的第二沟槽的工序；在第二沟槽内形成埋入膜的工序；以及对第一膜的多余堆积部分及埋入膜的多余堆积部分同时进行研磨的工序。由此得到即使是在减少研磨工序次数的情况下，在深沟槽形成的蚀刻时，也能够抑制蚀刻不良发生的半导体装置的制造方法。
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