公开(公告)号：CN116057471A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202180054499.2

申请日：2021-11-11

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔有廷 ,  权纯亨 ,  金旼秀 ,  金圣振 ,  白载烈 ,  阵和英 ,  朴贤 ,  裵信孝 ,  宋大锡 ,  千玟基

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明有关于一种光阻底层组成物以及使用所述光阻底层组成物形成图案的方法，所述光阻底层组成物包括：具有在环中包含两个或更多个氮原子的环骨架的聚合物、由化学式1表示的化合物及溶剂。化学式1的定义如说明书中所述。[化学式1]

公开(公告)号：CN111665683B

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202010116537.X

申请日：2020-02-25

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴贤 ,  崔有廷 ,  权纯亨 ,  裵信孝 ,  白载烈

IPC: G03F7/004 ,  G03F1/76

Abstract: 本发明提供一种抗蚀剂底层组合物和一种使用抗蚀剂底层组合物来形成图案的方法，抗蚀剂底层组合物包含：聚合物，聚合物包含由化学式1表示的结构单元；和溶剂。化学式1的定义与详细描述中所描述的相同。[化学式1]

公开(公告)号：CN111665683A

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN202010116537.X

申请日：2020-02-25

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴贤 ,  崔有廷 ,  权纯亨 ,  裵信孝 ,  白载烈

IPC: G03F7/004 ,  G03F1/76

Abstract: 本发明提供一种抗蚀剂底层组合物和一种使用抗蚀剂底层组合物来形成图案的方法，抗蚀剂底层组合物包含：聚合物，聚合物包含由化学式1表示的结构单元；和溶剂。化学式1的定义与详细描述中所描述的相同。[化学式1]

公开(公告)号：CN119472168A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411093299.X

申请日：2024-08-09

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 曺雅罗 ,  崔有廷 ,  白载烈 ,  权纯亨 ,  阵和英 ,  金圣振

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/09

Abstract: 公开一种抗蚀剂底层组合物以及使用所述抗蚀剂底层组合物形成图案的方法。抗蚀剂底层组合物包括聚合物、光酸产生剂及溶剂，所述聚合物包括由化学式1表示的结构单元、由化学式2表示的结构单元或其组合，所述光酸产生剂在空气氛围(空气气体)中在205℃下进行热重分析(TGA)期间从测量时间起3分钟后具有约0％的质量减少率。化学式1及化学式2的定义如说明书中所述。化学式1#imgabs0#化学式2#imgabs1#

公开(公告)号：CN110579943A

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201910501950.5

申请日：2019-06-11

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 裵信孝 ,  权纯亨 ,  朴贤 ,  白载烈 ,  周范俊 ,  崔有廷

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/11

Abstract: 本发明公开一种抗蚀剂底层组合物以及使用该抗蚀剂底层组合物形成图案的方法，所述抗蚀剂底层组合物包含具有衍生于异氰脲酸酯衍生物的结构单元的聚合物以及溶剂。

公开(公告)号：CN113396364B

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202080012809.X

申请日：2020-03-23

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔有廷 ,  权纯亨 ,  金旼秀 ,  朴贤 ,  裵信孝 ,  白载烈

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  G03F7/16

Abstract: 本发明是有关于一种抗蚀剂底层组成物及一种使用所述组成物形成图案的方法。根据实施例，所述抗蚀剂底层组成物包含：聚合物，包括在末端处由化学式1表示的结构以及在主链中由化学式2表示的结构单元及由化学式3表示的结构单元；以及溶剂。化学式1至化学式3的定义与详细说明中所述的相同。

公开(公告)号：CN119668025A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411306733.8

申请日：2024-09-19

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 曹雅罗 ,  林昌模 ,  白载烈 ,  权纯亨 ,  黄丙奎 ,  阵和英 ,  金秀贞 ,  李恩受 ,  崔有廷 ,  郑盛宇 ,  金圣振

IPC: G03F7/004

Abstract: 提供一种抗蚀剂底层组合物和使用该抗蚀剂底层组合物形成图案的方法。抗蚀剂底层组合物包括：包括由化学式1表示的结构单元、由化学式2表示的结构单元或其组合的聚合物；具有约0到约60kcal/mol键解离能(bond dissociation energy，BDE)的自由基引发剂；以及溶剂。

公开(公告)号：CN119511636A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411120102.7

申请日：2024-08-15

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金圣振 ,  白载烈 ,  权纯亨 ,  黄丙奎 ,  阵和英 ,  李恩受 ,  曺雅罗 ,  崔有廷 ,  郑盛宇

IPC: G03F7/09 ,  G03F7/004

Abstract: 公开一种抗蚀剂底层组合物以及一种使用所述抗蚀剂底层组合物形成图案的方法。所述抗蚀剂底层组合物包含包括由化学式1表示的结构单元的聚合物、以及溶剂。化学式1的定义如本说明书中所阐述。化学式1#imgabs0#

公开(公告)号：CN119472167A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411088290.X

申请日：2024-08-09

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 阵和英 ,  崔有廷 ,  白载烈 ,  权纯亨 ,  金圣振 ,  曺雅罗

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/09

Abstract: 公开一种抗蚀剂底层组合物以及使用所述抗蚀剂底层组合物形成图案的方法。抗蚀剂底层组合物包括聚合物、由化学式3表示的化合物及溶剂，所述聚合物包括由化学式1表示的结构单元、由化学式2表示的结构单元或其组合。化学式1到化学式3的定义如说明书中所述。化学式1#imgabs0#化学式2#imgabs1#化学式3(R1)x(R2)y(R3)Sn‑(R4)(3‑x‑y)。

公开(公告)号：CN117590687A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310623747.1

申请日：2023-05-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔有廷 ,  金圣振 ,  白载烈 ,  阵和英 ,  权纯亨

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/16

Abstract: 本发明公开一种抗蚀剂底层组合物和使用抗蚀剂底层组合物形成图案的方法，所述抗蚀剂底层组合物包含聚合物、由化学式3表示的化合物以及溶剂，所述聚合物包含由化学式1表示的结构单元、由化学式2表示的结构单元或其组合。化学式1到化学式3的定义如说明书中所描述。[化学式1][化学式2] [化学式3]