公开(公告)号：CN1996637A

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN200710001861.1

申请日：2007-01-02

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 姜泰旻 ,  安泽 ,  徐旼彻

IPC: H01L51/05 ,  H01L27/32

Abstract: 本发明涉及一种在电极布线层的顶部具有形成图案的有机半导体层的有机薄膜晶体管(OTFT)。为了避免对下方电极布线层的损伤，对有机半导体层形成图案使得在电极布线层上的有机半导体层不被移除。形成图案的有机半导体层完全覆盖所有的下方的电极布线层。该OTFT包括栅电极、与栅电极绝缘的源和漏电极，以及与栅电极绝缘并连接到源和漏电极的有机半导体层，其中有机半导体层完全覆盖源和漏电极。此外，还涉及一种有机发光显示装置，包括不止一个OTFT，以及电连接到电导体的有机发光元件。

公开(公告)号：CN1979912A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200610159524.0

申请日：2006-09-22

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李宪贞 ,  安泽

IPC: H01L51/05 ,  H01L27/28 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L51/0015 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3274 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558

Abstract: 源极和漏极具有双层结构以支持使用激光束来形成有机半导体层的图案的一种有机薄膜晶体管，以及具有该有机薄膜晶体管的一种平板显示设备。该有机薄膜晶体管包括：栅极；与栅极绝缘的源极和漏极；与栅极绝缘并形成有电连接至源极和漏极的图案部分的有机半导体层；以及形成在源极和漏极上的保护层。

公开(公告)号：CN1893108A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610105419.9

申请日：2006-07-06

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 徐旼彻 ,  安泽 ,  朴容佑

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/82

Abstract: 本发明公开了一种包括具有界定像素的开口的栅极绝缘层的平板显示装置。该平板显示装置包括：衬底；形成在衬底上的源极和漏极；接触源极和漏极的半导体层；形成衬底上方的栅极；形成在源极和漏极以及栅极之间的绝缘层，绝缘层具有开口；以及通过绝缘层的开口部分显露的像素电极。绝缘层作为栅极绝缘层和界定像素电极的像素界定层。

公开(公告)号：CN1841807A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200610008937.9

申请日：2006-01-28

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 安泽 ,  具在本 ,  徐旼彻

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0545 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0562

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管，其制造方法，包括该薄膜晶体管的平板显示装置。薄膜晶体管包括：栅电极；与该栅电极绝缘的源电极和漏电极；有机半导体层，它与该栅电极绝缘，而与源电极和漏电极电连接；绝缘层，它使栅电极与源电极和漏电极或有机半导体层绝缘；以及沟道形成促进层，它连接有机半导体层的沟道区的相对区域，并且含有带有官能团的化合物，它将向沟道区的相对区域移动的电荷固定在该沟道区的相对区域。因此，该薄膜晶体管具有低阈电压和极好的电荷迁移率。