公开(公告)号：CN104143431A

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201310337380.3

申请日：2013-08-05

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 李承澔 ,  小野雅章 ,  金钟翰 ,  曹守焕 ,  李旼坤 ,  金渭宪

IPC: H01G2/06 ,  H01G4/005 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/01 ,  H01G4/005 ,  H01G4/12 ,  H01G4/232 ,  H01G4/30 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/181

Abstract: 在此提供了一种多层陶瓷电子元件，包括：陶瓷主体，该陶瓷主体包括多个电介质层，以及形成在陶瓷主体的至少一个主表面的长度方向上的内凹部分，以向内凹陷，并且满足T（厚度）/W（宽度）>1.0；布置于所述陶瓷主体内以彼此相对的多个第一内电极和多个第二内电极；以及从所述陶瓷主体的端面向至少一个主表面延伸的第一外电极和第二外电极，其中，当所述陶瓷主体被分为对应所述陶瓷主体总厚度的70%至90%的上区域At以及对应所述陶瓷主体总厚度的10%至30%的下区域Ab时，Ab材料的平均颗粒尺寸与At材料的平均颗粒尺寸的比率小于0.5。

公开(公告)号：CN103377826A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201210371992.X

申请日：2012-09-28

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 金钟翰 ,  朴宰满

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/005 ,  H01G4/12

CPC classification number: H01G4/0085 ,  H01G4/012 ,  H01G4/12 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30 ,  Y10T29/43

Abstract: 提供了一种多层陶瓷电子元件及其制造方法，该多层陶瓷电子元件包括：陶瓷体，该陶瓷体中包括介电层；多个内电极，该多个内电极相互面对并使介电层插入内电极之间；和外电极，该外电极与多个内电极电连接，其中，内电极的厚度用te来表示，满足0.1μm≤te≤0.5μm，并且当在穿过陶瓷体的沿宽度（W）方向的中间部分截断并沿长度和厚度（L-T）方向截取的截面中，内电极颗粒的中间部分沿长度方向到内电极的断开部分最近的距离用Tc来表示，内电极颗粒的位于其中间部分之上或之下25%厚度处的点沿长度方向到内电极的断开部分最近的距离用T1来表示，满足0.7≤T1/Tc≤1.3。

公开(公告)号：CN103065792A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201210021442.5

申请日：2012-01-21

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 金钟翰 ,  郑贤哲

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/005

CPC classification number: H01G4/005 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明提供了一种具有0603尺寸或更小尺寸的多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括多个内电极和设置在内电极之间的介电层；外电极，设置在陶瓷主体的外表面上并电连接到内电极；其中，当在沿陶瓷主体的宽度方向和厚度方向截取的陶瓷主体的沿长度方向的中心部分的截面中，将内电极叠置的区域定义为有效区，将沿宽度和厚度方向截取的截面的总面积定义为At，并且将有效区的面积定义为Aa时，满足下式：65％≤Aa/At≤90％。

公开(公告)号：CN102867564A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201110369170.3

申请日：2011-11-18

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 金钟翰 ,  金永浩 ,  郑贤哲

IPC: H01B1/16 ,  H01G4/008 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01B1/16 ,  H01C7/10 ,  H01C7/13 ,  H01G4/008 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明提供了一种内电极导电浆料组合物和含有所述导电浆料组合物的多层陶瓷电子元件。所述导电浆料组合物含有：100摩尔的金属粉末；0.5至4.0摩尔的陶瓷粉末；以及0.03至0.1摩尔的二氧化硅(SiO2)粉末。所述导电浆料组合物能够提高所述内电极的烧结收缩温度和改善所述内电极的接合性，并且能够提高所述介电层的稠化度，因此，提高了耐受电压性能、可靠性以及介电性能。

公开(公告)号：CN1327462C

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN03149100.6

申请日：2003-06-26

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 金俊熙 ,  许康宪 ,  朴海成 ,  金钟翰 ,  金佑燮

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  C04B35/468

CPC classification number: C04B35/6303 ,  B32B18/00 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/468 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/96 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/704 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1245

Abstract: 可低温烧结的电介质陶瓷组合物和多层陶瓷片状电容器。所述的电介质陶瓷组合物由通式：aBaTiO3-bMgCO3-cY2O3-dCr2O3-eV2O5-f(xZrO2-y(K，Li)2O-zSiO2)(x+y+z＝1；0.05≤x≤0.18，0.01≤y≤0.08，以及0.74≤z≤0.93)表示，其中a，b，c，d，e和f为摩尔比；a＝100，1.0≤b≤2.0，0.2≤c≤2.0，0.02≤d≤0.3，0.02≤e≤0.3以及0.5≤f＜2。所述的多层陶瓷片状电容器使用所述的电介质陶瓷组合物来制备。本发明的电介质组合物可以低温烧结，但介电常数不减小，这使得制造超薄层电介质成为可能。

公开(公告)号：CN1264780C

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN02105999.3

申请日：2002-04-12

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 金佑燮 ,  许康宪 ,  金钟翰 ,  金俊熙

IPC: C04B35/49 ,  C04B35/495 ,  C04B35/462 ,  H01B3/12

CPC classification number: C04B35/49 ,  C03C8/10 ,  C03C14/004 ,  C03C2214/04 ,  C04B35/462 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/365 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  H01L23/15 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种可以与Ag电极共烧的、具有高介电常数和低介电损耗的介电陶瓷组合物，用于电器和电子器具的各种部件中。该组合物由下面的化学式表示：a重量%{xZrO2-yZnO-wNb2O5-zTiO2}+c重量%玻璃粉，其中5.0摩尔%≤x≤45.0摩尔%；1.5摩尔%≤y≤19.0摩尔%；1.5摩尔%≤w≤19.0摩尔%；40.0摩尔%≤z≤59.0摩尔%，条件是x+y+w+z＝100；75.0≤a≤97.0，及3.0≤c≤25.0。

公开(公告)号：CN1469397A

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN02157839.7

申请日：2002-12-20

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 朴海成 ,  许康宪 ,  金佑燮 ,  金俊熙 ,  金钟翰

IPC: H01B3/12 ,  C04B35/468 ,  H01G4/12

CPC classification number: C04B35/62675 ,  C04B35/4682 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  H01G4/1227

Abstract: 本发明制备了多层陶瓷片状电容器，其满足X5R特性(－55－85℃，ΔC＝±15％)要求，并与还原氛烧结条件相适应，从而可使用贱金属如镍和镍合金作为内电极。所述的多层陶瓷片状电容器包含交替层压的介电陶瓷层和内电极层，其中介电陶瓷层中含有BaTiO3和其他成分，且每100摩尔BaTiO3，其他成分的量为MgCO3：0.2－3.0摩尔；选自Y2O3、Ho2O3、Dy2O3和Yb2O3的至少一种：0.05－1.5摩尔；Cr2O3：0.1－1.5摩尔；BaxCa(1－x)SiO3(假设0≤x≤1)：0.2－3.0摩尔；和Mn2V2O7：0.01－1.5摩尔。本发明的多层陶瓷片状电容器介电常数高，满足X5R特性，可以在1200－1250℃的低温下烧结。

公开(公告)号：CN1418845A

公开(公告)日：2003-05-21

申请号：CN02105610.2

申请日：2002-04-15

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 金俊熙 ,  许康宪 ,  金钟翰 ,  金佑燮

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/465 ,  C03C3/074 ,  H01B3/12

CPC classification number: C04B35/475 ,  C03C8/14 ,  C03C14/004 ,  C04B35/462 ,  C04B35/468 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85

Abstract: 提供一种可以与Ag电极共烧的、具有高介电常数和低介电损耗的介电陶瓷组合物用于电器和电子器具的各种部件中。该组合物由下面的化学式表示：a重量％{xBaO－y1Nd2O3－y2Sm2O3－wBi2O3－zTiO2}+b重量％(基于ZnO－B2O3－SiO2－PbO的玻璃粉)+c重量％CuO，其中，10.0摩尔％≤x≤20.0摩尔％；7.0摩尔％≤y1+y2≤20.0摩尔％；0.5摩尔％≤w≤5.0摩尔％；60.0摩尔％≤z≤80.0摩尔％，条件是x+y1+y2+w+z＝100；80.0重量％≤a≤98.0重量％；1.0重量％≤b≤10.0重量％；1.0重量％≤c≤10.0重量％。

公开(公告)号：CN106373779B

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201610203178.5

申请日：2016-04-01

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 朴今珍 ,  崔畅学 ,  刘正勋 ,  金斗永 ,  辛敏基 ,  李治和 ,  李哲承 ,  金钟翰

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01G4/005

Abstract: 提供了一种多层陶瓷电子组件。所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，介电层和内电极交替地堆叠在陶瓷主体中。介电层包含长轴与短轴的比为3.5或更大的至少一个介电颗粒。内电极包含具有用于介电颗粒的颗粒生长调节成分的陶瓷组分。每个介电层包括与内电极相邻的界面部分以及设置在界面部分之间的中央部分，界面部分和中央部分中的颗粒生长调节成分的浓度彼此不同。

公开(公告)号：CN103377824B

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201310012284.1

申请日：2013-01-11

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 金钟翰 ,  李仑熙

IPC: H01G4/005 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/01 ,  H01G4/012 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30 ,  H01G13/006

Abstract: 提供了多层陶瓷电子元件及其制造方法。多层陶瓷电子元件包括：陶瓷体；以及内部电极，形成在所述陶瓷体内并具有多个非电极区域的，其中，在沿所述陶瓷体的长度和厚度方向截取的截面上，当所述内部电极的厚度用Te表示、所述内部电极的连续性用C表示、所述内部电极的面积用Ae表示、所述多个非电极区域的面积用Ao表示且所述多个非电极区域中具有最大直径的非电极区域的最大直径用Pmax表示时，满足0.1μm≤Te≤0.5μm，1.1%≤Ao/Ae≤3.2%，Pmax≤120nm及95%≤C≤99.5%。