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公开(公告)号：CN102676995B
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201210058642.8
申请日：2012-03-07
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本发明披露一种金属溅射膜与利用其的粉末。该金属溅射膜包括基膜；在基膜上形成的凹凸图案；以及溅射在凹凸图案上的金属。根据本发明的示例性实施方式，通过有效控制在大量生产可用作超高容量MLCC内部电极的板状金属粉末时所需要的金属溅射膜的结构，能够大量生产金属粉末，且因此与利用相关领域的晶片的情况相比，在以卷对卷方法通过利用金属溅射膜生产金属粉末的情况下，可以更好地降低成本并提高生产率。
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公开(公告)号：CN102262939B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201010513811.3
申请日：2010-10-20
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H01G4/0085 , H01G4/012 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供了一种用于制备金属粉末的方法以及使用该金属粉末制造多层陶瓷电容器的内部电极的方法，用于制备金属粉末的方法包括以下步骤：设置基板；在基板上形成具有预定形状的凹凸图案的图案层；形成通过凹凸图案而与图案层分离的金属膜；以及将金属膜与图案层分离，从而以预定形状自然地图案化金属膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1194441C
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN02128287.0
申请日：2002-08-08
Applicant: 三星电机株式会社
Inventor： 申知桓
IPC: H01P5/00
CPC classification number: H01P5/185
Abstract: 所公开的是一种双频带耦合器，其中具有耦合信号线的介电层位于具有第一主信号线的介电层和具有第二主信号线的介电层之间。通过分别在耦合信号线和主信号线之间层叠不同数量的介电层，能够单独控制第一和第二信号线的耦合系数。消除第一和第二信号线之间电磁干扰的屏蔽图形在具有耦合信号线的介电层上形成，以改善隔离。由于能够省略具有接地图形的介电层，所以双频带耦合器的小型化能够得到改善。
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公开(公告)号：CN114664537A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202110724059.5
申请日：2021-06-29
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供了一种线圈组件。所述线圈组件包括：缠绕线圈；主体，包括覆盖所述缠绕线圈的芯部以及分别设置在所述芯部的彼此面对的一个表面和另一表面上的上覆盖部和下覆盖部；以及第一外电极和第二外电极，彼此分离地设置在所述主体上并分别连接到所述缠绕线圈的两端，其中，所述主体包括绝缘树脂以及具有不同直径的第一金属磁性颗粒和第二金属磁性颗粒，并且所述芯部、所述上覆盖部和所述下覆盖部中的至少一个仅包括所述第一金属磁性颗粒和所述第二金属磁性颗粒中具有较小直径的所述第二金属磁性颗粒作为分散在所述绝缘树脂中的磁性颗粒。
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公开(公告)号：CN102451912A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110085187.6
申请日：2011-03-31
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: C22C19/03 , B22F1/0055 , B22F3/00 , B22F7/04
Abstract: 本发明涉及制造超细金属粉末的方法和由其制造的超细金属粉末，所述超细金属粉末用于MLCC用电极。所述制造超细金属粉末的方法包括：准备其中形成了图案的母模；通过在所述图案上涂布聚合物材料而形成牺牲层；在所述牺牲层上形成金属层；以及通过除去所述牺牲层并将所述金属层与所述母模分离而形成单独的超细金属粉末。
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公开(公告)号：CN102262939A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201010513811.3
申请日：2010-10-20
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H01G4/0085 , H01G4/012 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供了一种用于制备金属粉末的方法以及使用该金属粉末制造多层陶瓷电容器的内部电极的方法，用于制备金属粉末的方法包括以下步骤：设置基板；在基板上形成具有预定形状的凹凸图案的图案层；形成通过凹凸图案而与图案层分离的金属膜；以及将金属膜与图案层分离，从而以预定形状自然地图案化金属膜。
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公开(公告)号：CN1822249B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200510069995.8
申请日：2005-05-12
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H01L23/291 , H01C1/028 , H01C7/001 , H01C7/18 , H01C17/02 , H01G2/12 , H01G4/232 , H01G4/255 , H01G4/30 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种具有绝缘涂层的半导体片式器件，包括要求表面绝缘性能的多晶半导体片、形成在半导体片两端的外电极、通过将玻璃粉末熔合到硅烷偶联剂而形成在半导体片表面上的绝缘涂层。另外，还提供了一种具有绝缘涂层的半导体片式器件的制造方法，包括：制备要求表面绝缘性能的多晶半导体片并蚀刻多晶半导体片；将蚀刻后的半导体片浸到硅烷偶联溶液中，并从附着到半导体片表面的溶液中去掉水的成分；将玻璃粉末附着到没有水的成分的半导体片上，并对半导体片进行第一热处理；在第一热处理后的半导体片上形成外电极，并对半导体片进行第二热处理，由此在半导体片的表面上形成绝缘涂层。
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