公开(公告)号：CN110931468A

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201910822831.X

申请日：2019-09-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金润洙 ,  柳承旻 ,  禹昌秀 ,  丁炯硕 ,  曹圭镐 ,  曹仑廷

IPC: H01L23/64 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 本发明公开一种集成电路器件，其包括：下电极、上电极以及在下电极和上电极之间的电介质层结构，该电介质层结构包括面对下电极的第一表面和面对上电极的第二表面。该电介质层结构包括：第一电介质层，包括由第一电介质材料形成并且从第一表面延伸到第二表面的多个晶粒；以及第二电介质层，包括第二电介质材料并在低于第二表面的水平处围绕第一电介质层的所述多个晶粒中的每个晶粒的侧壁的一部分。第二电介质材料包括具有比第一电介质材料的带隙能量高的带隙能量的材料。

公开(公告)号：CN107665232A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201710569522.7

申请日：2017-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐荣晙 ,  柳承旻 ,  郑敏宇

IPC: G06F17/30

CPC classification number: G06F16/5838 ,  G06F8/70 ,  G06F9/453 ,  G06F16/1748 ,  G06F16/30 ,  G06F16/951 ,  G06K9/6201 ,  G06K9/6218

Abstract: 提供了一种用于检测类似应用的方法、电子装置和系统。该方法包括：接收用于检测在特定操作系统(OS)上实施并且与特定应用至少类似的应用的输入命令；收集与该特定应用有关的详细信息；基于收集的详细信息来搜索是否存在与该特定应用至少类似的应用；以及显示搜索结果。

公开(公告)号：CN110931468B

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN201910822831.X

申请日：2019-09-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金润洙 ,  柳承旻 ,  禹昌秀 ,  丁炯硕 ,  曹圭镐 ,  曹仑廷

IPC: H01L23/64 ,  H10B12/00

Abstract: 本发明公开一种集成电路器件，其包括：下电极、上电极以及在下电极和上电极之间的电介质层结构，该电介质层结构包括面对下电极的第一表面和面对上电极的第二表面。该电介质层结构包括：第一电介质层，包括由第一电介质材料形成并且从第一表面延伸到第二表面的多个晶粒；以及第二电介质层，包括第二电介质材料并在低于第二表面的水平处围绕第一电介质层的所述多个晶粒中的每个晶粒的侧壁的一部分。第二电介质材料包括具有比第一电介质材料的带隙能量高的带隙能量的材料。

公开(公告)号：CN108149222A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201711247397.4

申请日：2017-12-01

Applicant: 三星电子株式会社 ,  DNF有限公司

Inventor： 柳承旻 ,  金润洙 ,  林载顺 ,  曹仑廷 ,  金铭云 ,  李相益 ,  全相勇 ,  李刚镛

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/18 ,  C07F7/22

CPC classification number: C07F7/2284 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/18

Abstract: 本发明提供一种锡化合物、用于原子层沉积(ALD)的锡前体化合物、形成含锡材料膜的方法、及合成锡化合物的方法，所述锡化合物是由化学式(I)表示： 其中R1、R2、Q1、Q2、Q3、及Q4分别独立地为C1至C4直链烷基或支链烷基，且所述锡化合物可具有良好的热稳定性。