公开(公告)号：CN101156111B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200680011131.3

申请日：2006-04-04

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 金柄郁 ,  尹锡壹 ,  金圣培 ,  郑宗铉

IPC: G03F7/42

CPC classification number: G03F7/425 ,  G03F7/426 ,  H01L21/31133

Abstract: 本发明涉及一种用于半导体器件制备工艺的光刻胶去除剂组合物。本发明的包含铵盐、水溶性有机胺和水的去除剂组合物可以在高温或者低温下、在短时间内有效去除通过硬性烘烤、干法蚀刻、湿法蚀刻、灰化和/或离子注入所硬化和改性的光刻胶膜，以及由光刻胶膜下面的金属膜蚀刻出的金属副产物所改性的光刻胶膜，同时使光刻胶膜下面的金属布线的腐蚀最小化。

公开(公告)号：CN104272193B

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201380024161.8

申请日：2013-04-18

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 辛成健 ,  金炳郁 ,  尹锡壹 ,  郑宗铉 ,  许舜范 ,  郑世桓 ,  张斗瑛 ,  权五焕 ,  朴善周

IPC: G03F7/42 ,  C11D3/20 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明涉及一种稀释剂组合物，更具体地说，涉及一种使用于半导体制造用晶片的边缘和后面部位而可在短时间内有效去除多余粘附的光致抗蚀剂，而且提高光致抗蚀剂RRC的性能而能够减少光致抗蚀剂的使用，并对人体的稳定性高、降低界面的段差而可用于多种工序、使半导体制造工序简单化而能够以低成本提高生产收率的稀释剂组合物。

公开(公告)号：CN102103334B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201010594494.2

申请日：2010-12-15

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 辛成健 ,  金柄郁 ,  尹锡壹 ,  郑宗铉 ,  许舜范 ,  郑世桓 ,  张斗瑛 ,  权五焕 ,  朴善周

IPC: G03F7/42

Abstract: 本发明涉及一种抗蚀剂剥离剂组合物，特别涉及一种包含具有环状胺结构的咪唑烷化合物，所以抗蚀剂剥离性能非常优秀，并且对金属的防腐蚀效果突出，从而可以使图案形成过程中元件的金属布线的腐蚀达到最小化的抗蚀剂剥离剂组合物。

公开(公告)号：CN104281017A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410259171.6

申请日：2014-06-11

Applicant: 三星电机株式会社 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 曹恩仁 ,  吴龙洙 ,  李秀兴 ,  孙命赞 ,  池营植 ,  李胎坤 ,  李庚相 ,  郑世桓 ,  金柄郁 ,  尹锡壹 ,  郑宗铉 ,  许舜范 ,  黄钟源

IPC: G03F7/42

Abstract: 本发明涉及一种干膜抗蚀剂剥离剂组合物以及使用该组合物的干膜抗蚀剂的除去方法。本发明的干膜抗蚀剂剥离剂组合物以规定的混合比含有氢氧系化合物、链胺化合物、三唑化合物以及纯水(H2O)，能够完全除去干膜抗蚀剂，同时能够防止金属层的腐蚀，且具有剥离剂可再使用的优点。

公开(公告)号：CN103631103A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310363319.6

申请日：2013-08-20

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 许舜范 ,  金炳郁 ,  赵泰杓 ,  尹锡壹 ,  郑世桓 ,  张斗瑛 ,  朴善周

IPC: G03F7/42

Abstract: 本发明涉及一种可以替代以往常用的对人体有害的NMP等溶剂类，并包含剥离能力优秀的N,N-二甲基丙酰胺的光致抗蚀剂剥离液组合物。

公开(公告)号：CN1920672B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200610111383.5

申请日：2006-08-24

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 金柄郁 ,  尹锡壹 ,  金玮溶 ,  许舜范

IPC: G03F7/42

Abstract: 本发明涉及一种用于去除光致抗蚀剂和透明导电膜的剥离液组合物。具体地，本发明提供一种能去除半导体装置上透明导电膜的有机酸类透明导电膜去除剂及由有机胺及溶剂组成的双组分以上的剥离液组合物中包含上述去除剂的剥离液组合物。该组合物还可再含有作为抗离析剂使用的乙二醇醚化合物。本发明组合物中含有有机酸类透明导电膜去除剂，由此可去除透明导电膜。而且，上述透明导电膜去除剂中含有硫磺，也可作为防腐剂使用，可防止下部金属膜的金属布线的腐蚀，由此在保存由目前的LCD制备过程所制作出的金属图案的条件下，可以去除已形成图案的光致抗蚀剂，并有选择地或全部地去除涂敷在金属布线上光致抗蚀剂上的透明电极和位于金属布线上的透明电极。

公开(公告)号：CN102103334A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN201010594494.2

申请日：2010-12-15

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 辛成健 ,  金柄郁 ,  尹锡壹 ,  郑宗铉 ,  许舜范 ,  郑世桓 ,  张斗瑛 ,  权五焕 ,  朴善周

IPC: G03F7/42

Abstract: 本发明涉及一种抗蚀剂剥离剂组合物，特别涉及一种包含具有环状胺结构的咪唑烷化合物，所以抗蚀剂剥离性能非常优秀，并且对金属的防腐蚀效果突出，从而可以使图案形成过程中元件的金属布线的腐蚀达到最小化的抗蚀剂剥离剂组合物。

公开(公告)号：CN1924710B

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200610128676.4

申请日：2006-09-04

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 尹锡壹 ,  金圣培 ,  郑宗铉 ,  朴熙珍 ,  金柄郁

IPC: G03F7/42

Abstract: 本发明涉及一种用于在制造诸如集成电路(IC)、大规模集成电路(LSI)、超大规模集成电路(VLSI)等的半导体器件的过程中去除光刻胶的光刻胶去除剂组合物，该光刻胶去除剂组合物包括：(a)0.1～10wt％的过氧化氢或过氧化氢衍生物；(b)5～50wt％的有机溶剂；(c)0.5～30wt％的有机胺；(d)5～60wt％的水；(e)0.0001～20wt％的铵盐；(f)0.4～10wt％的防腐剂；和(g)0.5～30wt％的过氧化氢或过氧化氢衍生物的稳定剂。本发明的包括过氧化氢或过氧化氢衍生物的光刻胶去除剂组合物可在短时间内、在高温或低温下有效去除通过硬性烘烤(hardbaking)、干法刻蚀、灰化和/或离子注入硬化并改性的光刻胶膜和通过从光刻胶膜下的金属膜刻蚀出的金属副产品改性的光刻胶膜，并同时将光刻胶膜下的金属布线的腐蚀减到最少。

公开(公告)号：CN100595680C

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200410070223.1

申请日：2004-07-30

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 尹锡壹 ,  全雨植 ,  朴熙珍

IPC: G03F7/42 ,  G03F7/00 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明涉及一种用于除去感光树脂的稀释剂组合物，该感光树脂用于制造半导体器件或液晶显示器，更特别地涉及包括a)烷基酰胺和b)酮的稀释剂组合物。稀释剂组合物可进一步包括c)全氟烃基氧化胺。本发明的稀释剂组合物可有效除去在衬底边缘和背面附着的不需要的彩色抗蚀剂，特别是用于制造液晶显示器的大尺寸彩色玻璃衬底。它还除去剩余薄膜并降低边缘的差距，因此有效地清洁衬底。因此，它以经济的优点而用于各种工艺，简化制造工艺并提高产率。

公开(公告)号：CN101661857A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200910160899.2

申请日：2009-07-31

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 郑世桓 ,  金柄郁 ,  尹锡壹 ,  郑宗铉 ,  许舜范 ,  辛成健 ,  张斗瑛 ,  朴善周 ,  权五焕

IPC: H01J9/00 ,  H01J17/49

Abstract: 本发明涉及等离子体显示器面板用的介电层及障肋去除剂组合物，特别涉及包含以下物质的去除剂组合物：(a)0.05～10重量％的无机盐化合物；(b)3～30重量％的烷基二元醇或其衍生物；(c)3～30重量％的乙二醇单烷基醚类或其衍生物；(d)0.5～10重量％的沸点等于或者高于160℃的有机胺；及(e)余量的水。该组合物不损坏介电层下部的电极层，且其渗透性及去除性能非常优秀，可以同时去除介电层及障肋。