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公开(公告)号：CN105369222B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201510474172.7
申请日：2015-08-05
Applicant: 成均馆大学校产学协力团
IPC: C23C16/513 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及包含多种前体的无机薄膜的制备方法及用于该方法的装置，即涉及用于包含多种前体的无机薄膜的制备方法以及制备装置。所述方法包括通过交替使用源气体和反应物气体对衬底进行等离子体处理；并且使所述源气体和反应物气体在衬底的表面上反应以在所述衬底上形成无机薄膜，其中所述源气体和反应物气体的等离子体处理分别在彼此独立的等离子体模块中进行，并且所述源气体包括惰性气体和前体，所述前体包含选自由硅、锆、钛以及它们的组合组成的群组中的金属。
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公开(公告)号：CN105821395A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610044459.0
申请日：2016-01-22
Applicant: 成均馆大学校产学协力团
IPC: C23C16/54 , C23C16/44 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/54 , C23C16/44 , C23C16/45525 , C23C16/45536
Abstract: 本发明公开了金属氧化物薄膜的沉积方法和金属氧化物薄膜的制备装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105803426A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610029865.X
申请日：2016-01-18
Applicant: 成均馆大学校产学协力团
IPC: C23C16/513 , C23C16/455 , H01L51/56
CPC classification number: C23C16/513 , C23C16/45525 , C23C16/45544 , H01L51/56
Abstract: 本发明涉及使用具有超薄结构的沉积装置的薄膜沉积方法及该沉积装置。具体公开了一种超薄结构的薄膜沉积方法和一种超薄结构的薄膜沉积装置，所述方法包括：通过使用源气体和反应物气体对衬底进行等离子体处理；以及通过使所述源气体与所述反应物气体在所述衬底的表面上反应而在所述衬底上形成薄膜，其中通过使用所述源气体和所述反应物气体对所述衬底进行等离子体处理在单个等离子体模块内执行，以及所述等离子体处理选择性地对所述衬底的整体或部分进行。
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公开(公告)号：CN105473761A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201480023046.3
申请日：2014-08-04
Applicant: 成均馆大学校产学协力团
IPC: C23C16/44
Abstract: 一种薄膜沉积装置被提供。该装置包括衬底装载单元，其被配置来将衬底装载在该衬底装载单元上；衬底运输单元，其与所述衬底装载单元连接且被配置来移动所述衬底；和薄膜沉积单元，其被配置来在所述衬底上沉积薄膜，其中所述薄膜沉积单元包括多个等离子体模块，还有提供在各个所述等离子体模块之间且被配置为通过升高或降低来连接相邻等离子体模块下面的空间或使相邻等离子体模块下面的空间彼此隔离的隔离构件，且所述衬底运输单元在所述多个等离子体模块之间轮流移动所述衬底装载单元从而允许薄膜被形成在所述衬底上。
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公开(公告)号：CN105369222A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510474172.7
申请日：2015-08-05
Applicant: 成均馆大学校产学协力团
IPC: C23C16/513 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及包含多种前体的无机薄膜的制备方法及用于该方法的装置，即涉及用于包含多种前体的无机薄膜的制备方法以及制备装置。所述方法包括通过交替使用源气体和反应物气体对衬底进行等离子体处理；并且使所述源气体和反应物气体在衬底的表面上反应以在所述衬底上形成无机薄膜，其中所述源气体和反应物气体的等离子体处理分别在彼此独立的等离子体模块中进行，并且所述源气体包括惰性气体和前体，所述前体包含选自由硅、锆、钛以及它们的组合组成的群组中的金属。
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公开(公告)号：CN105316650A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510459106.2
申请日：2015-07-30
Applicant: 成均馆大学校产学协力团
Abstract: 本发明涉及无机薄膜的制备方法以及用于所述无机薄膜的制备装置。所述无机薄膜的制备方法包括通过交替使用硅源和反应物气体对衬底进行等离子体处理；并且使所述硅源和所述反应物气体在所述衬底的表面上反应以在所述衬底上形成无机薄膜，其中通过使用所述硅源和所述反应物气体进行的所述等离子体处理分别在每个独立的等离子体模块中进行。
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公开(公告)号：CN1518134A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN03158948.0
申请日：2003-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/02458 , B82Y20/00 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02447 , H01L21/02488 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/0062 , H01L33/12 , H01L33/20
Abstract: 本发明公开了一种制造高效半导体器件的方法。该方法包括：(a)在衬底上顺序叠置第一半导体层、掩模层和金属层；(b)使金属层阳极氧化以将金属层转变成包括多个纳米孔的金属氧化物层；(c)利用金属氧化物层作为蚀刻掩模蚀刻掩模层，直到纳米孔延伸到第一半导体层的表面；(d)去除金属氧化物层；以及(e)在掩模层和第一半导体层上沉积第二半导体层。本发明减小了缺陷密度，并促进了均匀的缺陷分布。
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