公开(公告)号：CN107045892B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN201611071045.3

申请日：2016-11-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任琫淳 ,  尹廷允 ,  金志锡 ,  朴相元

IPC: G11C16/34 ,  G11C16/10

Abstract: 公开了非易失性存储器和包括非易失性存储器的存储装置。存储装置包括非易失性存储器和控制器。控制器向非易失性存储器提供第一数据、地址和编程开始命令，并在向非易失性存储器提供编程开始命令后向非易失性存储器提供第二数据。非易失性存储器被配置为响应于编程开始命令而启动基于第一数据的编程操作并在向非易失性存储器提供第二数据时基于第一数据和第二数据继续执行编程操作。非易失性存储器被配置为基于第一数据执行第一编程循环的编程和验证读取，第一编程循环的验证读取使用一个验证电压来执行。

公开(公告)号：CN107785048A

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201710740518.2

申请日：2017-08-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金志锡 ,  朴一汉 ,  朴世桓

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/30

CPC classification number: G11C16/3459 ,  G11C7/04 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  G11C16/16 ,  G11C16/26 ,  G11C16/30

Abstract: 一种非易失性存储器设备，包括：包括存储器单元串的存储器单元阵列，所述存储器单元串包括接地选择晶体管和多个串联连接的非易失性存储器单元；连接到接地选择晶体管的接地选择线和连接到多个存储器单元的多个字线；被配置为生成施加到多个字线的编程验证电压和读取电压的电压生成器；以及被配置为基于编程验证温度偏移来控制对编程验证电压的补偿并且基于读取温度偏移来控制对读取电压的补偿的控制电路。