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公开(公告)号：CN110028948B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN201910026870.9
申请日：2019-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及无镉量子点、其制造方法、包括其的组合物、量子点‑聚合物复合物和显示器件。无镉量子点不包括镉且包括：包括铟和磷的半导体纳米晶体核、设置在所述半导体纳米晶体核上并且包括锌和硒的第一半导体纳米晶体壳、以及设置在所述第一半导体纳米晶体壳上并且包括锌和硫的第二半导体纳米晶体壳。
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公开(公告)号：CN111826152B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202010311092.0
申请日：2020-04-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K11/02 , C09K11/88 , C09K11/06 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H10K50/115 , G02F1/13357
Abstract: 本发明涉及量子点、其制造方法、量子点群、组合物、量子点聚合物复合物和包括其的显示器件。量子点包括锌、碲和硒并且不包括镉，其中所述量子点的最大发光峰存在于大于约470纳米(nm)的波长范围内并且所述量子点的量子效率大于或等于约10％，和其中所述量子点包括芯和设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳，所述芯包括第一半导体纳米晶体。
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公开(公告)号：CN116387296A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202211723921.1
申请日：2022-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/075 , H01L33/50 , H01L33/54 , H01L27/15
Abstract: 公开显示面板、其制造方法和包括其的显示设备。所述显示面板包括发光面板和颜色转换面板。所述颜色转换面板中包括的颜色转换层发射预定的光。所述预定的光的颜色包括CIE 1931色坐标中的约0.26‑约0.35的Cx和约0.27‑约0.35的Cy的第一区域，并且在具有在所述第一区域中的颜色的所述预定的光的发射光谱中，第一面积百分比小于或等于约65％，其中所述第一面积百分比由下式定义：[A/B]×100％，其中A表示所述发射光谱中的具有小于或等于约470nm的波长的区域的面积，且B表示所述发射光谱中的具有小于或等于约480nm的波长的区域的面积。
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公开(公告)号：CN110010776B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201811464010.5
申请日：2018-12-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K50/115 , H10K50/15 , H10K85/60
Abstract: 公开电致发光器件、和包括其的显示器件。所述电致发光器件包括：第一电极；设置在所述第一电极上并且包括具有共轭结构的第一有机材料的空穴传输层；直接设置在所述空穴传输层上并且包括多个发光颗粒的发射层；设置在所述发射层上的电子传输层；和设置在所述电子传输层上的第二电极，其中所述发光颗粒包括中心颗粒和附着至所述中心颗粒的表面的亲水性配体，所述空穴传输层在任意两点处各自具有第一厚度和第二厚度，且所述第一厚度和所述第二厚度满足方程1。方程1在详细的说明书中描述。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107663452B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201710628516.4
申请日：2017-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开量子点、其制造方法、以及包括其的量子点‑聚合物复合物和电子装置。所述量子点包括：包括第一半导体纳米晶体的芯、和设置在所述芯上的壳，所述壳包括第二半导体纳米晶体和掺杂剂，其中所述第一半导体纳米晶体包括III‑V族化合物，所述第二半导体纳米晶体包括锌(Zn)、硫(S)和硒，和所述掺杂剂包括锂、具有比Zn2+的有效离子半径小的有效离子半径的2A族金属、具有比Zn2+的有效离子半径小的有效离子半径的3A族元素、或其组合。
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公开(公告)号：CN113969165A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202110839147.X
申请日：2021-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K11/02 , C09K11/70 , C09K11/88 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C08K3/32 , C08K3/30 , C08J5/18 , H01L31/0352 , H01L31/04 , H01L51/50
Abstract: 公开了量子点、以及包括其的量子点‑聚合物复合物和电子设备。所述量子点包括：包括第一半导体纳米晶体的芯；在所述芯上的包括第二半导体纳米晶体的第一壳，所述第二半导体纳米晶体包括III‑VI族化合物；和在所述第一壳上的包括第三半导体纳米晶体的第二壳，所述第三半导体纳米晶体具有与所述第二半导体纳米晶体的组成不同的组成；其中所述第一半导体纳米晶体和所述第三半导体纳米晶体之一包括III‑V族化合物。
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公开(公告)号：CN107017323B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201610842472.0
申请日：2016-09-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/48 , H01L33/58 , H01L33/50 , G02F1/13357
Abstract: 公开LED封装体、包括其的背光单元和发光装置、及包括背光单元的液晶显示器装置。所述LED封装体包括：LED；包括如下的堆结构体：与所述LED间隔开的光散射结构体，和设置在选自所述光散射结构体的内表面和外表面的至少一个表面上并且配置成将从所述LED发射的光转化成白色光的光转化层，其中所述光转化层包括半导体纳米晶体；和设置在所述光转化层的表面上的有机阻隔层。
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公开(公告)号：CN107369754B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201710330399.3
申请日：2017-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了光转换装置、其制造方法、包括该光转换装置的光源模块以及包括光转换装置的背光单元。光转换装置包括：框架，通过该框架，入射光从光源接收并且转换的光从光转换装置发射，该框架包括开口和围绕开口的壁，通过该开口，从光源接收第一颜色的光，并且从该开口，第二颜色的光从光转换装置发射；基板，在开口中并由壁支撑；光转换层，设置在基板上并从光源接收第一颜色的光，光转换层包括将第一颜色的光转换成第二颜色的光的光转换颗粒；第一无机层，设置在光转换层上；以及第一有机层，设置在第一无机层上。
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