公开(公告)号：CN106169496A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201610325750.5

申请日：2016-05-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  姜智秀 ,  朴宰贤 ,  申宪宗 ,  Y.李

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7855 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0684

Abstract: 一种半导体器件，包括：第一有源区和第二有源区，其设置在半导体基板中并具有彼此面对的侧表面；设置在第一有源区和第二有源区之间的隔离图案；设置在第一有源区和第二有源区之间的半导体延伸层；设置在第一有源区上的第一源/漏极半导体层；和设置在第二有源区上的第二源/漏极半导体层。与靠近隔离图案相比，第一有源区和第二有源区的面对的侧表面更靠近半导体延伸层。