公开(公告)号：CN115206412A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210348128.1

申请日：2022-03-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： A.伯曼

IPC: G11C29/56

Abstract: 一种存储器系统，包括存储器设备和存储器控制器。存储器设备包括多个存储器单元。存储器控制器包括错误校正码(ECC)电路。ECC电路被配置为确定第一写入数据的不全为零的数据行，并将所确定的数据行与对应的行索引一起存储在缓冲器的缓冲行中。存储器控制器被配置为将基于缓冲器的第二数据写入存储器设备。

公开(公告)号：CN112582004A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN202010277924.1

申请日：2020-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： A.伯曼 ,  E.霍尔珀林 ,  E.布莱克曼

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/34 ,  G06N3/04

Abstract: 本公开提供存储器系统、执行噪声消除的方法和计算机程序产品。一种存储器系统包括存储器设备和存储器控制器，存储器控制器包括处理器和内部存储器。包括神经网络的计算机程序被存储在存储器系统中。处理器运行计算机程序以：从连接到一条串选择线(SSL)的多个存储器单元中的每一个提取电压电平，其中存储器单元和SSL被包括在存储器设备的存储器块中；将电压电平作为输入提供给神经网络；以及使用神经网络通过将电压电平中的至少一个从第一电压电平改变为第二电压电平来对SSL执行噪声消除。第一电压电平被归入到第一群组的存储器单元中，第二电压电平被归入到不同于第一群组的第二群组的存储器单元中。

公开(公告)号：CN111833943A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202010284474.9

申请日：2020-04-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： A.伯曼

IPC: G11C13/00

Abstract: 一种用于写入存储器单元的方法，包括：施加编程电压到目标字线；将待写为第一电阻状态的存储器单元的位线接地；设置未选位线的位线电压；以及设置未选字线的字线电压；施加编程电压到目标位线；将待写为第二电阻状态的存储器单元的字线接地；如果最大电压压降的峰值大于或等于第二值，则将未选字线的字线电压设置为第一值；否则，将字线电压设置为零；以及如果最大电压压降的峰值大于或等于第二值，则将未选位线的位线电压设置为第三值；否则，将位线电压设置为零。

公开(公告)号：CN111427717A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN202010025433.8

申请日：2020-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： A.杜布查克 ,  D.夏皮罗 ,  A.伯曼

IPC: G06F11/10 ,  G11C29/42

Abstract: 一种解码电路，包括Bose-Chaudhuri-Hocquenghem(BCH)解码器。BCH解码器包括用于基于BCH编码字来生成校正子的校正子级、对校正子执行Berlekamp-Massey(BM)算法以生成错误位置多项式(ELP)系数的Berlekamp-Massey级、使用快速傅立叶变换(FFT)对ELP系数执行Chien搜索以生成错误位和迭代信息的Chien级、以及被配置为基于迭代信息将错误位重新排序为按顺序的帧修复器级。BCH解码器使用重新排序的错误位解码BCH编码字。