公开(公告)号：CN117715413A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311163952.0

申请日：2023-09-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔贤根 ,  申硕浩 ,  慎重赞 ,  李基硕 ,  金根楠 ,  朴硕汉 ,  张殷硕 ,  韩珍优

IPC: H10B12/00 ,  H10B63/00

Abstract: 一种半导体器件可以包括基板、在基板上沿第一方向延伸的位线以及在位线上的有源图案。该半导体器件可以包括在有源图案的一侧旁边在垂直于第一方向的第二方向上延伸跨过位线的背栅电极，以及在有源图案的另一侧旁边在第二方向上延伸的字线。有源图案在第二方向上的长度可以大于位线在第二方向上的长度。

公开(公告)号：CN119072120A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202410677864.0

申请日：2024-05-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李基硕 ,  林汉镇 ,  韩珍优

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件，包括：单元晶体管，在垂直于基底的上表面的第一方向上堆叠，其中，每个单元晶体管包括第一源/漏区、第二源/漏区和栅电极；位线，在第一方向上延伸，并且电连接到第一源/漏区；以及数据存储结构，电连接到第二源/漏区，其中，每个栅电极具有在平行于上表面的第二方向上延伸的线形，每个数据存储结构包括第一电极、第二电极、以及在第一电极和第二电极之间的介电层，其中，第一电极电连接到第二源/漏区，其中，第二电极在第一方向上堆叠并且彼此间隔开，并且其中，每个第二电极包括具有在第二方向上延伸的线形的线路部分。

公开(公告)号：CN118843321A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410025349.4

申请日：2024-01-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李基硕 ,  韩珍优 ,  林汉镇

IPC: H10B53/30 ,  H10B53/20

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；位线结构，位于所述衬底上，在第一方向上延伸，并且在第二方向上彼此间隔开；沟道，接触所述位线结构的上表面并且在所述第一方向和所述第二方向上彼此间隔开；上栅极结构，在所述第二方向上延伸并且围绕沿所述第二方向设置的所述沟道，所述上栅极结构在所述第一方向上间隔开；以及电容器结构，所述电容器结构包括：第一电容器电极，分别位于所述沟道上；电介质层，位于所述第一电容器电极上，所述电介质层包括铁电材料或反铁电材料；第二电容器电极，位于所述电介质层上；以及电容器板电极，位于所述第二电容器电极上，所述电容器板电极均在所述第二方向上延伸并且在所述第一方向上彼此间隔开。

公开(公告)号：CN118742030A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410208467.9

申请日：2024-02-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李基硕 ,  李泓浚 ,  崔贤根 ,  金根楠 ,  南仁哲 ,  刘宝元 ,  韩珍优

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件包括：下衬底；存储单元结构，包括：字线，在下衬底上；位线，设置在下衬底上并且与字线交叉；以及单元电容器，连接到下衬底；上衬底，具有与下衬底相邻的后侧以及与后侧相对的前侧；电路元件，设置在上衬底的前侧上，并且在竖直方向上与存储单元结构重叠；以及通孔，穿透上衬底，并且将存储单元结构和电路元件彼此电连接。

公开(公告)号：CN118742029A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410164971.3

申请日：2024-02-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘宝元 ,  朴硕汉 ,  李基硕 ,  崔贤根 ,  韩珍优

IPC: H10B12/00 ,  H10B61/00 ,  H10B63/10 ,  H10B63/00

Abstract: 一种具有改进的集成和电特性的半导体存储器件。所述半导体存储器件包括：外围栅极结构；第一外围连接结构，其位于所述外围栅极结构上；数据存储图案，其位于所述第一外围连接结构上；有源图案，其包括在第一方向上彼此相反的第一表面和第二表面以及在第二方向上彼此相反的第一侧壁和第二侧壁，所述有源图案的第一表面连接到所述数据存储图案并面向基板；位线，其位于所述有源图案上、连接到所述有源图案的所述第二表面、并在所述第二方向上延伸；字线，其位于所述有源图案的第一侧壁上并在第三方向上延伸；第二外围连接结构，其连接到所述位线；以及连接焊盘，其连接到所述第二外围连接布线。