掩模制造方法
    12.
    发明公开
    掩模制造方法 审中-公开

    公开(公告)号:CN119335807A

    公开(公告)日:2025-01-21

    申请号:CN202410236119.2

    申请日:2024-03-01

    Abstract: 提供了掩模制造方法。所述掩模制造方法包括:通过对光学邻近校正(OPC)目标设计布局实施第一OPC来获得第一光学邻近校正后的(OPCed)设计布局;基于所述第一OPCed设计布局对所述OPC目标设计布局执行反向剖分以生成第一段;执行反向校正以将所述第一OPCed设计布局的第一偏差分配给所述OPC目标设计布局的所述第一段;基于所述第一段的段分组确定全芯片代表性偏差;将所述全芯片代表性偏差应用于整个芯片区域;基于已经应用于所述整个芯片区域的所述全芯片代表性偏差来准备掩模数据;以及基于所述掩模数据使掩模衬底曝光。

    晶片到晶片接合结构和包括其的图像传感器

    公开(公告)号:CN118213376A

    公开(公告)日:2024-06-18

    申请号:CN202311715533.3

    申请日:2023-12-14

    Inventor: 金相勋 吴成镐

    Abstract: 发明构思提供了包括具有斜坡形状的台阶的图像传感器和包括晶片到晶片接合结构的图像传感器。图像传感器包括:第一衬底,包括像素阵列、第一多层布线、第一绝缘层和穿过第一绝缘层的第一金属焊盘;以及在第一衬底上的第二衬底,其中第二衬底包括逻辑电路、第二多层布线、面向第一绝缘层的第二绝缘层和穿过第二绝缘层的第二金属焊盘,并且形成在第二结表面中的第二台阶以对称的斜坡形状与形成在第一结表面中的第一台阶啮合,以在第一衬底和第二衬底之间形成直接接合。

    包含可修复的易失性存储器的存储器件及其操作方法

    公开(公告)号:CN108172262B

    公开(公告)日:2023-08-15

    申请号:CN201710991230.2

    申请日:2017-10-23

    Inventor: 金相勋 成俊基

    Abstract: 提供了一种包括可修复的易失性存储器的存储器件及其操作方法。存储器件包括存储用户数据的非易失性存储器,缓冲用户数据并且在存储器件的空闲时间执行用于检测易失性单元阵列上的缺陷单元的测试的易失性存储器,以及控制易失性存储器在空闲时间执行测试,并将包括测试结果或测试历史的测试信息存储在非易失性存储器中的控制器。

    具有显示模块的电子装置
    15.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109688245B

    公开(公告)日:2021-04-13

    申请号:CN201811113441.7

    申请日:2014-03-12

    Abstract: 提供了一种具有显示模块的电子装置,所述电子装置包括:显示模块,包括显示区域和邻接显示区域的侧边的周边区域;其中,显示模块包括跨越显示区域和周边区域延伸的玻璃层;其中,玻璃层包括位于周边区域上的第一凹入部分。

    图像传感器
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103296038A

    公开(公告)日:2013-09-11

    申请号:CN201210464819.4

    申请日:2012-11-16

    Inventor: 金相勋 文昌碌

    CPC classification number: H01L27/14636 H01L27/1464 H01L27/14689

    Abstract: 本发明公开了图像传感器。图像传感器包括位于基底的第一表面上并且具有多层结构的第一绝缘层间结构。第一布线结构位于第一绝缘层间结构中。通孔接触塞从基底的第二表面延伸,并且穿透基底以电连接到第一布线结构。滤色器和微透镜堆叠在基底的第一区域中的第二表面上。第二绝缘层间结构位于基底的第二区域中的第二表面上。第二布线结构位于第二绝缘层间结构中,以电连接到通孔接触塞。焊盘图案电连接到第二布线结构并且具有上表面,通过所述上表面施加外部电信号。光电二极管在第一区域中位于第一布线结构和第二布线结构之间。

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