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公开(公告)号：CN118213376A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202311715533.3
申请日：2023-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 发明构思提供了包括具有斜坡形状的台阶的图像传感器和包括晶片到晶片接合结构的图像传感器。图像传感器包括：第一衬底，包括像素阵列、第一多层布线、第一绝缘层和穿过第一绝缘层的第一金属焊盘；以及在第一衬底上的第二衬底，其中第二衬底包括逻辑电路、第二多层布线、面向第一绝缘层的第二绝缘层和穿过第二绝缘层的第二金属焊盘，并且形成在第二结表面中的第二台阶以对称的斜坡形状与形成在第一结表面中的第一台阶啮合，以在第一衬底和第二衬底之间形成直接接合。
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