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公开(公告)号：CN118215291A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202311716950.X
申请日：2023-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了半导体器件以及包括半导体器件的数据存储系统。一种半导体器件包括与第二半导体结构重叠的第一半导体结构，第二半导体结构具有第一区域和第二区域并包括：板层；栅电极，在第一方向上彼此间隔开；沟道结构，穿过栅电极；栅极分隔区，在第二方向上延伸；第一和第二上隔离区，将上栅电极分成在相邻的栅极分隔区之间的第一、第二和第三子栅电极；以及接触插塞，在第一方向上延伸，第一和第二上隔离区中的每个具有在第三方向上延伸的区域，第一子栅电极具有第一焊盘区和第二焊盘区，该第一焊盘区在第四方向上具有第一宽度，该第二焊盘区在第四方向上具有比第一宽度窄的第二宽度，第一子栅电极连接到接触插塞中的一个。
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公开(公告)号：CN118076112A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202311496893.9
申请日：2023-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体存储器件和包括该半导体存储器件的电子系统。所述半导体存储器件包括：单元基板，包括第一表面和与所述第一表面相反的第二表面；第一模制堆叠件，包括依次堆叠在所述第一表面上的多个第一栅电极；第二模制堆叠件，包括依次堆叠在所述第一模制堆叠件上的多个第二栅电极；第一沟道结构，在相对于所述第一表面的第一方向上延伸并且与所述多个第一栅电极和所述多个第二栅电极交叉；以及输入/输出焊盘，位于所述第二表面上，其中，所述第一模制堆叠件包括暴露所述第二模制堆叠件的一部分的模制开口，并且所述输入/输出焊盘的至少一部分在所述第一方向上与所述模制开口交叠。
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公开(公告)号：CN117337043A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202310692665.2
申请日：2023-06-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种集成电路器件包括半导体衬底和衬底上的公共源极结构。设置了存储单元栅电极的竖直堆叠，其在公共源极结构和衬底之间延伸。该存储单元栅电极的竖直堆叠包括第一擦除控制栅电极、以及在第一擦除控制栅电极和衬底之间延伸的多条字线。设置了至少一个沟道结构，其竖直地穿透该存储单元栅电极的竖直堆叠。设置了源极突起图案，其电连接到公共源极结构。源极突起图案充分地延伸穿过该存储单元栅电极的竖直堆叠，使得源极突起图案的一部分与第一擦除控制栅电极的侧壁相对延伸。
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公开(公告)号：CN115643759A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202210842795.5
申请日：2022-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了半导体器件和包括其的电子系统。该半导体器件可以包括：堆叠结构，在第一方向上延伸并且包括垂直堆叠在基板上的栅电极；在堆叠结构上水平间隔开的选择结构；上隔离结构，在选择结构之间并在堆叠结构上沿第一方向延伸；以及穿透堆叠结构和选择结构的垂直结构。垂直结构包括第一垂直结构，该第一垂直结构沿第一方向排列并且穿透上隔离结构的部分。每个选择结构包括选择栅电极和围绕选择栅电极的顶表面、底表面和侧壁表面的水平电介质图案。每个选择栅电极包括在第一方向上延伸的线部分、以及从线部分垂直突出并围绕每个第一垂直结构的至少一部分的电极部分。
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公开(公告)号：CN114520232A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202111357585.9
申请日：2021-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 提供了半导体器件和包括其的数据存储系统。所述半导体器件包括：半导体衬底，具有彼此相对的第一表面和第二表面；背侧绝缘层，位于半导体衬底的所述第二表面下方；外部输入/输出导电图案，位于背侧绝缘层下方；电路器件，包括栅电极和源极/漏极区，电路器件位于半导体衬底的第一表面上；内部输入/输出导电图案，位于半导体衬底的第一表面上，内部输入/输出导电图案具有与栅电极的至少一部分设置在同一水平高度上的至少一部分；贯通电极结构，穿透半导体衬底和背侧绝缘层，并电连接到内部输入/输出导电图案和外部输入/输出导电图案；以及存储单元阵列区域，在半导体衬底的第一表面上设置在比电路器件高的水平高度上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114388524A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111215356.3
申请日：2021-10-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 提供了半导体存储器装置和包括其的电子系统。所述半导体存储器装置包括：第一基底，包括背对的第一表面和第二表面；模制结构，包括堆叠在第一基底的第一表面上的多个栅电极；沟道结构，穿过模制结构；第一接触过孔，穿透第一基底；第二基底，包括背对的第三表面和第四表面；电路元件，在第二基底的第三表面上；第一贯穿过孔，穿过模制结构，连接第一接触过孔和电路元件，第一贯穿过孔包括第一导电图案以及将第一导电图案与模制结构分开的第一间隔膜；以及第二贯穿过孔，穿过模制结构且与第一贯穿过孔分隔开，第二贯穿过孔包括第二导电图案以及将第二导电图案与第一基底和模制结构分开的第二间隔膜。
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公开(公告)号：CN114373490A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202111171793.X
申请日：2021-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体存储装置和包括其的电子系统。所述半导体存储装置包括：第一半导体芯片，包括上输入/输出焊盘；第二半导体芯片，包括下输入/输出焊盘；以及衬底附接膜，附接第一半导体芯片和第二半导体芯片。第一半导体芯片和第二半导体芯片均包括：第一衬底，包括面对衬底附接膜的第一面以及第二面；模制结构，包括栅电极；沟道结构，穿透模制结构并与栅电极相交；第二衬底，包括面对第一面的第三面以及第四面；第一电路元件，位于第二衬底的第三面上；以及接触通路，穿透第一衬底并连接到第一电路元件。上输入/输出焊盘和下输入/输出焊盘分别位于第一半导体芯片和第二半导体芯片的第二面上，并接触第一半导体芯片和第二半导体芯片的接触通路。
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公开(公告)号：CN107770470B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201710699816.1
申请日：2017-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/765 , H04N21/4363 , H04N21/443
Abstract: 显示设备包括连接至一个或多个外围设备的第一通信单元、与远程控制器通信的第二通信单元以及处理器。如果处理器通过第二通信单元响应于通电指令而初始化，则处理器验证一个或多个外围设备之中被选为提供视频信号和音频信号中的至少一种源的源设备的第一外围设备在第一阈值时间内是否通电。如果第一外围设备在第一阈值时间内未通电，则处理器通过第二通信单元向远程控制器传输允许远程控制器使第一外围设备通电的通电请求。
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公开(公告)号：CN111725218A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010201012.6
申请日：2020-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11529 , H01L27/11556 , H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 本公开提供了垂直半导体器件。一种垂直半导体器件包括：多个垂直存储单元，在第一基板的上表面上；粘合层，在第一基板的与第一基板的上表面相反的下表面上；第二基板，在其上具有第一外围电路；下绝缘夹层，在第二基板上；以及多个布线结构，电连接垂直存储单元和第一外围电路。粘合层的下表面和下绝缘夹层的上表面可以彼此接触。
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公开(公告)号：CN103905911A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201310726707.6
申请日：2013-12-25
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金智源
IPC: H04N21/472 , H04N21/422
CPC classification number: G06F3/0482 , H04N21/4316 , H04N21/485
Abstract: 示例性实施例可公开了一种显示设备和用于提供显示设备的菜单的方法。所述用于提供显示设备的菜单的方法包括：将显示设备划分为多个区域，并且在所述多个区域中的每一个上显示多个图像，响应于预定的第一用户命令被输入而显示同时控制所述多个图像的同时控制菜单，并且响应于预定的第二用户命令被输入而显示控制所述多个图像中的一个图像的单独控制菜单。
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