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公开(公告)号：CN112186113A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010640435.8
申请日：2020-07-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及发光器件、包括其的显示设备、及其制造方法。发光器件包括：第一电极和具有面向所述第一电极的表面的第二电极；设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括量子点(例如，多个量子点)的发射层；以及设置在所述发射层和所述第二电极之间的电子辅助层。所述电子辅助层包括包含第一金属氧化物的第一层、和设置在所述第一层上并且包括第二金属氧化物的第二层。当通过电子显微镜法分析测定时，所述第二层和所述第二电极之间的界面的粗糙度小于约10nm。所述第二层的导带底能级与所述第二电极的功函之间的差的绝对值可小于或等于约0.5eV，和所述第一层的导带底能级可小于所述第二层的导带底能级。
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公开(公告)号：CN110858632A
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201910785624.1
申请日：2019-08-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开量子点器件和量子点。所述量子点包括：芯，所述芯包括包含锌硫属化物的第一半导体纳米晶体；和设置在所述芯上的壳，所述壳包括锌、硫、和硒，其中所述量子点具有大于10nm的平均颗粒尺寸，其中所述量子点不包括镉，和其中所述量子点的光致发光峰存在于大于或等于约430nm且小于或等于约470nm的波长范围内。
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公开(公告)号：CN110783468A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910520226.7
申请日：2019-06-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了量子点器件和显示设备，所述量子点器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、设置在所述第一电极和所述第二电极之间的量子点层、以及设置在所述量子点层和所述第二电极之间的电子辅助层，其中所述电子辅助层包括由化学式1表示的电子传输材料和能够降低所述电子辅助层的电子迁移率的电子控制材料。在化学式1中，M和x与详细的说明书中描述的相同。化学式1Zn1-xMxO。
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公开(公告)号：CN110277501A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910192538.X
申请日：2019-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供电致发光器件、其形成方法和包括其的显示装置。电致发光器件包括：彼此面对的第一电极和第二电极；设置在第一电极和第二电极之间并包括发光颗粒的发射层；设置在第一电极和发射层之间的电子传输层；以及设置在第二电极和发射层之间的空穴传输层，其中电子传输层包括无机氧化物颗粒和金属有机化合物，所述金属有机化合物或所述金属有机化合物的热分解产物可溶于非极性溶剂中。
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公开(公告)号：CN118284090A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202311846279.0
申请日：2023-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K50/115 , H10K85/30 , H10K50/16 , H10K59/35 , H10K71/00
Abstract: 公开了电致发光器件、其制造方法、和包括其的显示设备，所述电致发光器件包括：彼此间隔开的第一电极和第二电极；设置在所述第一和第二电极之间的发光层；以及在所述发光层和所述第二电极之间的电子传输层。所述发光层包括半导体纳米颗粒，所述电子传输层包括具有1nm或更大至15nm或更小的尺寸的锌氧化物纳米颗粒，并且所述锌氧化物纳米颗粒进一步包括镁和铝，并且所述锌氧化物纳米颗粒中的铝的量为基于锌、镁、和铝的总量的大于或等于约0.5摩尔％且小于或等于约30摩尔％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112442371A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010895937.5
申请日：2020-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及量子点、其制造方法、包括其的量子点群和电致发光器件。量子点包括：包括第一半导体纳米晶体的芯，所述第一半导体纳米晶体包括锌硫属化物；和设置在所述芯的表面上并且包括锌、硒和硫的半导体纳米晶体壳。所述量子点不包括镉，发射蓝色光，并呈现出具有闪锌矿结构的(100)面的通过透射电子显微镜图像的快速傅里叶变换获得的数字衍射图样，并且在所述量子点的X射线衍射光谱中，缺陷峰面积相对于闪锌矿晶体结构的峰面积的比小于约0.8:1。还公开了制造所述量子点的方法和包括所述量子点的电致发光器件。
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公开(公告)号：CN110246987A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910180460.X
申请日：2019-03-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及量子点、其制造方法、电致发光器件和显示设备。量子点包括：包括包含锌、碲和硒的第一半导体纳米晶体材料的芯；以及设置在所述芯上(例如，直接设置在所述芯上)并且包括锌、硒和硫的半导体纳米晶体壳，其中所述量子点不包括镉，其中所述量子点的尺寸大于或等于约10纳米(nm)且所述量子点包括至少四个突起。还公开了其制造方法和包括其的电子器件。
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公开(公告)号：CN110172348A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910140377.X
申请日：2019-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了半导体纳米晶体颗粒、其制造方法、和包括其的量子点群及发光器件。所述半导体纳米晶体颗粒包括：包括第一半导体纳米晶体的芯；包围所述芯的第一壳，所述第一壳包括第二半导体纳米晶体，所述第二半导体纳米晶体包括与所述第一半导体纳米晶体不同的组成；包围所述第一壳的第二壳，所述第二壳包括第三半导体纳米晶体，所述第三半导体纳米晶体包括与所述第二半导体纳米晶体不同的组成，其中所述第一半导体纳米晶体包括锌和硫；其中所述第三半导体纳米晶体包括锌和硫；其中所述第二半导体纳米晶体的能带隙小于所述第一半导体纳米晶体的能带隙和小于所述第三半导体纳米晶体的能带隙；和其中所述半导体纳米晶体颗粒不包括镉。
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公开(公告)号：CN110028963A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910027235.2
申请日：2019-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开量子点、量子点-聚合物复合物、和显示装置，所述量子点包括包含第一半导体纳米晶体的芯和设置在所述芯上并且包括至少两个层的多层壳。所述量子点不包括镉；所述第一半导体纳米晶体包括III-V族化合物，所述多层壳包括：围绕所述芯的表面的至少一部分的第一层，所述第一层包括第二半导体纳米晶体，所述第二半导体纳米晶体包括II-V族化合物；和设置在所述第一层上的第二层，所述第二层包括第三半导体纳米晶体，所述第三半导体纳米晶体包括与所述第二半导体纳米晶体的组成不同的组成。
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公开(公告)号：CN118946218A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410580791.3
申请日：2024-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K71/00 , H10K50/115 , H10K50/16 , H10K59/10
Abstract: 提供电致发光器件、其制造方法、和包括其的电子设备。制造所述电致发光器件的方法包括在第一电极上设置包括半导体纳米颗粒的发光层；将包括含有第一金属的锌氧化物纳米颗粒的组合物沉积到所述发光层上以提供电子传输层；和在所述电子传输层上设置第二电极以提供所述电致发光器件。所述第一金属包括碱土金属、锆、钨、钛、钇、铝、镓、铟、锡、钴、钒、或其组合。所述锌氧化物纳米颗粒具有1纳米或更大且50纳米或更小的颗粒尺寸。所述锌氧化物纳米颗粒的制备包括使第一金属前体、锌前体、碱、和金属碳酸盐在有机溶剂中接触以形成所述锌氧化物纳米颗粒。
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