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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112151552B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202010545433.0
申请日：2020-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种垂直半导体装置，可以包括堆叠结构、沟道结构和下部连接结构。堆叠结构可以包括交替重复堆叠的绝缘层和栅电极。堆叠结构可以与衬底的上表面间隔开。沟道结构可以包括电荷存储结构和沟道。沟道结构可以穿过堆叠结构。下部连接结构可以形成在衬底上。下部连接结构可以与沟道和衬底电连接。下部连接结构的侧壁可以包括突出部，该突出部设置在从衬底的上表面开始的所述侧壁在竖直方向上的中心部分处。该垂直半导体装置可以具有高可靠性。
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公开(公告)号：CN112670293B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202011024561.7
申请日：2020-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了半导体存储器装置及其制造方法。一种半导体存储器装置包括：堆叠结构，其包括交替地堆叠在衬底上的多个电极和多个介电层；竖直沟道结构，其穿透堆叠结构；以及导电焊盘，其位于竖直沟道结构上。竖直沟道结构包括半导体图案和在半导体图案与电极之间的竖直介电图案。半导体图案的上部包括包含卤素元素的杂质区。半导体图案的上部与导电焊盘相邻。
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公开(公告)号：CN111261637B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN201910953065.0
申请日：2019-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种垂直存储器件，所述垂直存储器件包括：沟道连接图案，所述沟道连接图案位于衬底上；栅电极，所述栅电极在所述沟道连接图案上沿第一方向彼此间隔开；以及沟道，所述沟道沿所述第一方向延伸穿过所述栅电极和所述沟道连接图案。每个所述栅电极沿基本上平行于所述衬底的上表面的第二方向延伸，所述第一方向基本上垂直于所述衬底的所述上表面。在所述垂直存储器件的截面图中，所述沟道连接图案的中间部分的上表面在所述第一方向上的高度分别低于所述沟道连接图案的与所述沟道相邻的端部的所述上表面在所述第一方向上的高度，以及所述沟道连接图案的与所述沟道相对的端部的上表面在所述第一方向上的高度。
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公开(公告)号：CN114613781A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202111454794.5
申请日：2021-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L27/11556
Abstract: 公开了半导体装置和电子系统。该半导体装置包括衬底上的栅极堆叠结构、在衬底上在第一方向上延伸并且将栅极堆叠结构分离的分离结构、以及穿透栅极堆叠结构的竖直结构。每个栅极堆叠结构包括单元介电层和包括上电极的电极、在电极与单元介电层之间延伸的阻挡层、在第一方向上延伸并且穿透上电极以将每个上电极分离成在与第一方向相交的第二方向上彼此间隔开的段的分离介电图案、以及分离介电图案与上电极之间的封盖图案。封盖图案位于每个上电极的侧壁上，并且在垂直于衬底的顶表面的第三方向上彼此间隔开。每个封盖图案位于阻挡层的侧壁上。
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公开(公告)号：CN112349727A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202010418938.0
申请日：2020-05-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11568 , H01L27/11578 , H01L27/11582
Abstract: 公开了一种三维半导体存储器装置。所述装置可以包括：衬底上的第一源导电图案，其包括包含第一晶粒的多晶材料，衬底可以包括包含第二晶粒的多晶材料，第一晶粒的粒度小于第二晶粒的粒度；堆叠件，其包括多个栅电极，所述多个栅极堆叠在第一源导电图案上；以及竖直沟道部分，其穿透堆叠件和第一源导电图案，并且竖直沟道部分与第一源导电图案的侧表面接触。
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