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公开(公告)号：CN106972098A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201610900409.8
申请日：2016-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L43/12
CPC classification number: H01L43/12
Abstract: 此处提供一种制造磁存储器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成磁性隧道结图案；在衬底上形成层间绝缘层以覆盖磁性隧道结图案；在层间绝缘层上形成导电层；图案化导电层以形成电连接到磁性隧道结图案的互连图案；以及在互连图案上执行清洁工艺。清洁工艺使用第一气体和第二气体的气体混合物执行。第一气体包含氢元素(H)，以及第二气体包含不同于第一气体的源气体。
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