公开(公告)号：CN1831588A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200510132831.5

申请日：2005-12-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东范

IPC: G02F1/133 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/02678 ,  B23K26/064 ,  B23K26/0648 ,  B23K26/066 ,  B23K26/0665 ,  B23K26/12 ,  H01L21/2026

Abstract: 本发明公开了一种用于制造平板显示器的装置，其包括显示面板移动单元以及用于产生激光束的激光单元，其中，激光单元包括：用于使激光束选择性地通过的掩模；用于缩减已经通过掩模的激光束的缩减透镜；以及用于主要防止外部空气流流入到掩模和缩减透镜之间的空隙中的阻挡部，其中激光束的焦点形成于该缩减透镜。

公开(公告)号：CN1831588B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200510132831.5

申请日：2005-12-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东范

IPC: G02F1/133 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/02678 ,  B23K26/064 ,  B23K26/0648 ,  B23K26/066 ,  B23K26/0665 ,  B23K26/12 ,  H01L21/2026

Abstract: 本发明公开了一种用于制造平板显示器的装置，其包括显示面板移动单元以及用于产生激光束的激光单元，其中，激光单元包括：用于使激光束选择性地通过的掩模；用于缩减已经通过掩模的激光束的缩减透镜；以及用于主要防止外部空气流流入到掩模和缩减透镜之间的空隙中的阻挡部，其中激光束的焦点形成于该缩减透镜。

公开(公告)号：CN1848365B

公开(公告)日：2010-04-07

申请号：CN200510119279.6

申请日：2005-11-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑世镇 ,  金治宇 ,  郑义振 ,  金东范

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  B23K26/00 ,  C30B28/00

Abstract: 本发明提供了一种多晶硅薄膜的制造方法和具有该薄膜的TFT的制造方法，其中，激光束被辐射到非晶硅薄膜的一部分，以使非晶硅薄膜的该部分液化。非晶硅薄膜位于基板的第一端部上。液化硅被晶化以形成硅晶粒。激光束在第一方向上被从基板的第一端部向与第一端部相对的第二端部移动一个间隔。激光束然后被辐射到与硅晶粒相邻的非晶硅薄膜的一部分以形成第一多晶硅薄膜。因此，非晶硅薄膜的电学特性可以被改进。

公开(公告)号：CN100397560C

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200410031320.X

申请日：2004-01-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金县裁 ,  姜淑映 ,  金东范 ,  李秀卿 ,  姜明求

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  H01L29/786 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L21/02678 ,  C30B13/24 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  Y10T428/24273

Abstract: 本发明提供一种多晶硅薄膜晶体管阵列板及其制造方法，其包括：在绝缘衬底上沉积非晶硅层；使用掩模通过多次激光照射将非晶硅层转变为多晶硅层；在多晶硅层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成多个栅极线；在栅极线上形成第一层间绝缘层；在第一层间绝缘层上形成多个数据线；在数据线上形成第二层间绝缘层；以及在第二层间绝缘层上形成多个像素电极，其中掩模包含以混合方向排列的多个透射区和多个阻挡区。

公开(公告)号：CN1794069A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200510132007.X

申请日：2005-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东范 ,  李清

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/133 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78645 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板。该薄膜晶体管阵列面板包括：基板；多个半导体岛，形成在基板上，并包括多个第一、第二非本征区和多个本征区；栅绝缘层，覆盖半导体岛；多个栅极线，包括与本征区叠置的多个栅电极且形成在栅绝缘层上；多个数据线，连接到第一非本征区且形成在栅绝缘层上；多个像素电极，连接到第二非本征区，其中，多个突起形成在半导体岛的表面上，半导体岛的长度是至少两个突起之间的距离的倍数。

公开(公告)号：CN1761033A

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：CN200510106739.1

申请日：2005-07-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东范

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  C30B1/02 ,  C30B29/06

CPC classification number: H01L21/0268 ,  B23K26/066 ,  G03F1/54 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 一种用于制造多晶硅结构的掩模包括透射光的透射区以及具有以交替至少一次的方式淀积的金属层和半导体层的阻挡区。阻挡区阻挡光。掩模受到更少的来自光(例如激光束)的热应力，因此具有与常规掩模相比更长的寿命。

公开(公告)号：CN1754253A

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN200480005096.5

申请日：2004-02-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑义振 ,  金东范 ,  李秀卿 ,  姜明求 ,  金县裁

IPC: H01L21/324

CPC classification number: B23K26/0676 ,  B23K26/06 ,  B23K26/064 ,  B23K26/0643 ,  B23K26/066 ,  B23K26/067 ,  B23K26/0732 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0268 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1285

Abstract: 一种硅晶化系统，包括光束产生器，用于产生激光束；第一和第二光学单元，用于控制来自光束产生器的激光束；和台架，用于安装平板，该平板包括将被来自光学单元的激光束多晶化的非晶硅层。第一光学单元使激光束具有横边和比该横边长的纵边，且第二光学单元使激光束具有横边和比该横边短的纵边。