半导体装置及其制造方法
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119451100A

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202410179994.1

    申请日:2024-02-18

    Abstract: 本发明构思涉及半导体装置及其制造方法,根据一些示例实施例的半导体装置包括:基底,包括由器件隔离层限定的有源区域;字线,与有源区域交叉且叠置;位线,在与字线不同的方向上与有源区域交叉;直接接触件,将有源区域和位线连接,并且包括金属材料;掩埋接触件,连接到有源区域;以及位线间隔件,位于位线与掩埋接触件之间,其中,直接接触件的宽度与位线的宽度不同,并且位线间隔件位于直接接触件的上表面上。

    半导体存储器件
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118742028A

    公开(公告)日:2024-10-01

    申请号:CN202410013546.4

    申请日:2024-01-04

    Abstract: 一种半导体存储器件,包括:有源图案,其在衬底上且至少部分地被器件隔离图案围绕;位线,其沿平行于衬底的底表面的第一方向在有源图案的中心部分上延伸;以及位线接触,其位于位线与有源图案之间。位线接触包括金属材料。位线接触的在第一水平高度处且在第二方向上的宽度大于位线接触的底表面在第二方向上的宽度。第二方向与第一方向相交。第一水平高度位于器件隔离图案的顶表面与衬底之间。

    电解质和包括其的锂电池
    14.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111525189B

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN202010078239.6

    申请日:2020-02-03

    Abstract: 本发明涉及电解质和包括其的锂电池。电解质包括:锂盐;非水溶剂;由式2表示的烷基磺酸酯化合物;和由式3表示的不饱和砜化合物,其中,在式2中,Q1和Q2各自独立地为取代或未取代的C1‑C20烷基,和在式3中,Q3和Q4各自独立地为由‑(L1)‑(R1)表示的基团、乙烯基、烯丙基、或者取代或未取代的C1‑C20烷基,且Q3或Q4的至少一个为由‑(L1)‑(R1)表示的基团、乙烯基、或烯丙基,L1为取代或未取代的C2‑C20亚烯基或者取代或未取代的C2‑C20亚炔基,和R1为氢或取代或未取代的C2‑C20烷基。式2式3(56)对比文件CN 109037668 A,2018.12.18CN 102484281 A,2012.05.30CN 101090162 A,2007.12.19US 2018053967 A1,2018.02.22CN 105428714 A,2016.03.23

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