公开(公告)号：CN115881643A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202210890089.8

申请日：2022-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔庆寅 ,  金东明 ,  柳亥俊 ,  高绮亨 ,  柳志昊 ,  郑舜旭

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 一种半导体器件包括提供在衬底上的有源图案、提供在有源图案上的源极/漏极图案、被配置为连接到源极/漏极图案的沟道图案、被配置为在第一方向上延伸并与沟道图案交叉的栅电极、以及提供在栅电极的侧表面上的第一间隔物。源极/漏极图案包括主体部分以及在主体部分和有源图案之间的颈部分。第一间隔物包括提供在有源图案的侧表面上并且在源极/漏极图案的主体部分之下的栅栏部分。主体部分包括被配置为从颈部分倾斜延伸的结晶表面。结晶表面被配置为与栅栏部分的最上部间隔开。

公开(公告)号：CN109427778A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810993514.X

申请日：2018-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡勋 ,  金东明 ,  申东石 ,  李承勋 ,  李峭蒑 ,  李炫姃 ,  张星旭 ,  赵南奎 ,  崔珉姬

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：在基板上的第一鳍型图案；在基板上的第二鳍型图案，平行于第一鳍型图案；以及在第一鳍型图案和第二鳍型图案上的外延图案。外延图案可以包括在第一鳍型图案和第二鳍型图案上的共用半导体图案。共用半导体图案可以包括与第一鳍型图案相邻的第一侧壁和与第二鳍型图案相邻的第二侧壁。第一侧壁可以包括第一下晶面、在第一下晶面上的第一上晶面、以及连接第一下晶面和第一上晶面的第一连接曲面。第二侧壁可以包括第二下晶面、在第二下晶面上的第二上晶面、以及连接第二下晶面和第二上晶面的第二连接曲面。