公开(公告)号：CN110400586B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN201811124242.6

申请日：2018-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 辛薰 ,  金度延 ,  宋镐永

IPC: G11C11/406

公开(公告)号：CN108932959B

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN201810131724.8

申请日：2018-02-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承俊 ,  申丞濬 ,  辛薰 ,  崔益准 ,  黄柱盛

IPC: G11C7/24 ,  G11C11/4078

Abstract: 提供针对被干扰行执行照顾操作的存储器装置及其操作方法。一种存储器装置包括存储器单元阵列、刷新控制器以及控制逻辑。存储器单元阵列包括多个行。刷新控制器对所述多个行执行刷新操作。控制逻辑基于所述多个行在第一周期期间被访问的次数，控制对与第一行最邻近的第一邻近区域的照顾操作。控制逻辑还基于所述多个行在第二周期期间被访问的次数，控制对与第二行第二邻近的第二邻近区域的照顾操作。第一周期和第二周期是不同的周期。

公开(公告)号：CN110556156A

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201910191825.9

申请日：2019-03-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车相彦 ,  金贤起 ,  辛薰 ,  柳睿信 ,  全仁雨

IPC: G11C29/42 ,  G11C29/44

Abstract: 提供了半导体存储器件、存储系统及操作半导体存储器件的方法。半导体存储器件包括存储单元阵列、纠错码(ECC)引擎、刷新控制电路、擦洗控制电路和控制逻辑电路。刷新控制电路响应于从存储控制器接收到的第一命令，生成用于刷新存储单元行上的存储区域的刷新行地址。擦洗控制电路对刷新行地址进行计数，并且每当擦洗控制电路计数了刷新行地址中的N个刷新行地址时，生成用于对存储单元行中的第一存储单元行执行擦洗操作的擦洗地址。ECC引擎从第一存储单元行中的至少一个子页面中读取对应于第一码字的第一数据，校正第一码字中的至少一个错误位，并将校正后的第一码字写回对应的存储位置中。

公开(公告)号：CN110473577A

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201910184820.3

申请日：2019-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 辛薰 ,  金度延 ,  宋镐永

IPC: G11C11/406

Abstract: 提供存储器装置、存储器系统和刷新存储器装置的方法。一种示例存储器装置可包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元行；行锤击处理器，被配置为确定是否执行用于刷新所述多个存储器单元行中的与被密集访问的第一行邻近的邻近存储器单元行的行锤击处理操作，产生确定结果；刷新管理器，被配置为基于行锤击处理器的确定结果执行用于顺序地刷新存储器单元行的正常刷新操作或行锤击处理操作。