公开(公告)号：CN1832190A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200610009594.8

申请日：2006-02-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵佑荣 ,  金杜应 ,  辛允承 ,  卞贤根 ,  姜尚范 ,  赵栢衡 ,  郭忠根

IPC: H01L27/24 ,  H01L21/822

CPC classification number: G11C13/0004 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1675

Abstract: 本发明公开了一种具有单元二极管的相变存储器件及其制造方法。所述相变存储器件包括：第一导电型的半导体衬底；设置在半导体衬底上的多条平行字线，所述字线具有不同于第一导电型的第二导电型并且具有基本平的顶表面；沿各条字线的字线长度方向一维排列的多个第一半导体图案，第一半导体图案具有第一导电型或第二导电型；堆叠在第一半导体图案上的具有第一导电型的第二半导体图案；提供于具有第二半导体图案的衬底上的绝缘层，所述绝缘层填充字线之间的间隙区、第一半导体图案间的间隙区和第二半导体图案之间的间隙区；以及二维排列于绝缘层上多个相变材料图案，并且所述相变材料图案分别电连接到第二半导体图案。

公开(公告)号：CN1058497A

公开(公告)日：1992-02-05

申请号：CN90109141.3

申请日：1990-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 辛允承

IPC: H03K17/28 ,  H03K17/14

CPC classification number: H03K5/133 ,  H03K2005/00071 ,  H03K2005/0028

Abstract: 一种信号延迟电路包括用于驱动摆动宽度处于供电电压与接地电压间的输出信号的驱动电路装置。该信号延迟电路另外包括一变容二极管负载装置，该装置与输出信号连接并具有在供电电压变化范围之内随供电电压增大的电容。在该信号延迟电路中，为解决用于CMOS半导体集成电路中的信号传播电路的延迟特性取决于电压的变化而限制了操作速度的问题，本发明借助MOS变容二极管或这些变容二极管的组合电路保持信号传播电路的延迟特性与供电电压的电压变化无关，因此可获得CMOS半导体集成电路的高速工作并可改进其可靠性。