公开(公告)号：CN105009307A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201480010929.0

申请日：2014-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车南求 ,  金东浩 ,  柳建旭

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/20 ,  H01L33/08

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/005 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/36 ,  H01L33/382 ,  H01L33/387 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0025

Abstract: 本发明提供了一种制造纳米结构的半导体发光元件的方法，根据本发明的一方面的该方法包括步骤：在基层上形成具有多个开口的掩模；通过在基层的暴露的区域上生长第一导电半导体层来形成多个纳米芯，以填充其上的多个开口；部分地去除掩模，以暴露出多个纳米芯的侧部；在部分地去除掩模之后对多个纳米芯进行热处理；在热处理之后，通过在多个纳米芯的表面上依次生长有源层和第二导电半导体层来形成多个纳米发光结构；以及对多个纳米发光结构的上端进行平坦化，以暴露出纳米芯的上表面。