公开(公告)号：CN117080230A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202310535413.9

申请日：2023-05-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴知修 ,  罗承柱 ,  郑会敏 ,  郑熙根

IPC: H01L27/146

Abstract: 公开了一种图像传感器，所述图像传感器包括：衬底，所述衬底具有设置在其中的光电转换元件；钝化层，所述钝化层设置在所述衬底上并且在第一方向上延伸；导电图案，所述导电图案设置在所述钝化层上；以及粘合层，所述粘合层沉积在所述钝化层和所述导电图案上，其中，所述导电图案包括：第一平坦区域，所述第一平坦区域设置在所述钝化层上并且在所述第一方向上延伸；以及倾斜区域，所述倾斜区域连接到所述第一平坦区域，其中，所述倾斜区域的第一顶面从所述第一平坦区域的第二顶面弯曲，其中，所述第一顶面相对于所述第二顶面具有恒定斜度。

公开(公告)号：CN109087923B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN201810600349.7

申请日：2018-06-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩东敏 ,  金正生 ,  罗承柱 ,  李准泽

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开提供了半导体器件和图像传感器。一种半导体器件包括在半导体基板上的第一图案、第二图案和第二采样图案。第二图案与第二采样图案以相等的间隔水平地间隔开。第二采样图案包括彼此面对的第一侧壁和第二侧壁、在第一侧壁上的第一点和在第二侧壁上的第二点。第二采样图案和与第二采样图案相关的最相邻第一图案在与连接第一点和第二点的直线平行的方向上以第一水平距离彼此间隔开。第一水平距离大于第二图案中的一个第二图案和与所述一个第二图案相关的最相邻第一图案之间在所述方向上的第二水平距离。

公开(公告)号：CN113540133A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110186790.7

申请日：2021-02-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李冈勋 ,  罗承柱 ,  郑熙根 ,  赵万根

IPC: H01L27/146

Abstract: 公开了一种图像传感器，包括：衬底，该衬底具有彼此面对的第一表面和第二表面；隔离图案，该隔离图案在衬底中限定多个像素区；多个接触插塞，在衬底的第一表面上并且耦接到隔离图案；以及多个第一微透镜图案，在衬底的第二表面上。该接触插塞包括彼此相邻的第一接触插塞和第二接触插塞。该隔离图案的一部分延伸以跨过衬底中的第一区和第二区。第一区与第一接触插塞竖直重叠。第二区与第二接触插塞竖直重叠。

公开(公告)号：CN105529342A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201510673228.1

申请日：2015-10-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安正查 ,  罗承柱 ,  李景镐 ,  郑荣友

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了图像传感器的像素和包括该像素的图像传感器。所述像素可以包括：光电二极管，被配置为在第一时间段期间累积在光电二极管中生成的与入射光对应的光电荷；存储二极管，被配置为存储在光电二极管中累积的光电荷；以及存储栅极，被配置为控制在光电二极管中累积的光电荷转移到存储二极管。存储栅极可以包括向着光电二极管延伸的垂直栅极结构。