半导体器件及其制造方法
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113764417A

    公开(公告)日:2021-12-07

    申请号:CN202110262666.4

    申请日:2021-03-10

    Abstract: 一种半导体器件包括:导电柱,在半导体衬底上;第一支撑图案,所述第一支撑图案接触所述导电柱的侧表面的第一部分并且将所述导电柱相互连接,所述第一支撑图案包括暴露所述导电柱的侧表面的第二部分的第一支撑孔;封盖导电图案,所述封盖导电图案接触所述导电柱的侧表面的第二部分并且暴露所述第一支撑图案,所述导电柱的侧表面的第二部分不与所述第一支撑图案接触;以及电介质层,所述电介质层覆盖所述第一支撑图案和所述封盖导电图案,所述电介质层与所述导电柱间隔开。

    集成电路器件
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110931468A

    公开(公告)日:2020-03-27

    申请号:CN201910822831.X

    申请日:2019-09-02

    Abstract: 本发明公开一种集成电路器件,其包括:下电极、上电极以及在下电极和上电极之间的电介质层结构,该电介质层结构包括面对下电极的第一表面和面对上电极的第二表面。该电介质层结构包括:第一电介质层,包括由第一电介质材料形成并且从第一表面延伸到第二表面的多个晶粒;以及第二电介质层,包括第二电介质材料并在低于第二表面的水平处围绕第一电介质层的所述多个晶粒中的每个晶粒的侧壁的一部分。第二电介质材料包括具有比第一电介质材料的带隙能量高的带隙能量的材料。

    用于窗膜的组合物、由其形成的可挠性窗膜以及包括其的可挠性显示装置

    公开(公告)号:CN107567482A

    公开(公告)日:2018-01-09

    申请号:CN201680024012.5

    申请日:2016-04-22

    Abstract: 提供一种用于窗膜的组合物、一种由其形成的可挠性窗膜以及一种包括其的可挠性显示装置,所述用于窗膜的组合物包含:第一硅酮树脂,包含化学式1;第二硅酮树脂,含有可交联官能基、以及Q单元及桥接单元中的一个或多个;交联剂;以及引发剂。 (R1SiO3/2)x(R2R3SiO2/2)y(R4R5R6SiO1/2)z(其中R1为环氧基或含环氧基的官能基,R2与R3分别独立地为氢、可交联官能基、未经取代或经取代的C1-C20烷基、或者未经取代或经取代的C5-C20环烷基;R4、R5及R6分别独立地为氢、可交联官能基、未经取代或经取代的C1-C20烷基、未经取代或经取代的C5-C20环烷基、或者未经取代或经取代的C6-C30芳基;R4、R5及R6中的一个或多个为可交联官能基;0<x≤1;0≤y<1;0≤z<1;且x+y+z=1)。

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