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公开(公告)号：CN101826544A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN201010002115.6
申请日：2010-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/24
CPC classification number: H01L45/124 , H01L27/2409 , H01L45/06 , H01L45/141 , H01L45/1691
Abstract: 本发明提供了一种半导体相变存储器件。半导体相变存储器件包括：数据线，设置在半导体基板上；以及数据存储结构，设置在数据线之下并具有在沿数据线的方向上延伸的凹部。数据接触结构构造为接触数据存储结构，并具有填充数据存储结构的凹部的下部以及至少围绕数据线的下部的上部。数据存储结构的每个侧壁设置在与数据接触结构的上部的相应一个侧壁基本相同的平面。
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