公开(公告)号：CN107919147A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201710883574.1

申请日：2017-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林惠镇 ,  朴一汉 ,  朴贤国 ,  尹盛远

IPC: G11C7/10 ,  G11C7/12

CPC classification number: G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  G11C16/3459 ,  G11C2211/5648 ,  G11C7/1051 ,  G11C7/12

Abstract: 用于对非易失性存储器件进行编程的方法包括：对在非易失性存储器件中包含的存储单元中的低位进行编程，在对存储单元中的高位进行编程之前读取存储单元中编程的低位，根据读取低位的结果确定存储单元的阈值电压，使用所述阈值电压确定存储单元的类型，并根据所确定的存储单元的类型将多个脉冲之一供应给连接到存储单元的位线。

公开(公告)号：CN106448733A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610665846.6

申请日：2016-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林惠镇 ,  尹盛远 ,  朴一汉

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/06 ,  G11C16/34

CPC classification number: G11C11/5628 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/10 ,  G11C16/3459 ,  G11C16/06 ,  G11C16/3436

Abstract: 本发明公开了非易失性存储器设备和编程方法和其编程验证方法。一种用于非易失性存储器设备的编程验证方法，包括：关于第一级执行第一失败位计数操作以生成第一失败位累积值，并且将第一失败位累积值与第一失败参考值相比较以确定编程失败。当第一失败位累积值小于第一失败参考值时，执行用于第二阶段的第二失败位计数操作以生成第二失败位累积值。将第二失败位累积值与第二参考值相比较以确定编程失败。第二失败参考值不同于第一失败参考值。