公开(公告)号：CN119495666A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202410422146.9

申请日：2024-04-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴敬焕 ,  李相旼

IPC: H01L23/498

Abstract: 一种半导体封装件包括：再分布基板，所述再分布基板包括彼此相对的第一表面和第二表面；半导体芯片，所述半导体芯片位于所述再分布基板的所述第一表面上；以及连接端子，所述连接端子位于所述再分布基板的所述第二表面上。所述再分布基板包括：绝缘层；再分布图案，所述再分布图案位于所述绝缘层中；以及下凸块图案，所述下凸块图案位于所述再分布图案和所述连接端子之间。所述下凸块图案包括：通路部分，所述通路部分穿透所述绝缘层并连接到所述再分布图案；以及突起，所述突起突出到所述绝缘层中。

公开(公告)号：CN110025328A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201910022496.5

申请日：2019-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相旼 ,  姜东旭 ,  金到逸

IPC: A61B6/03 ,  G01T1/29

Abstract: 一种断层扫描成像装置，包括：X射线检测器，包括多个双模式像素，并且被配置为检测已经穿过对象的辐射；以及至少一个处理器，被配置为从X射线检测器获得扫描数据，并控制所述多个双模式像素中的每个像素以第一模式和第二模式之一操作，其中，多个双模式像素中的每个像素包括：传感器，被配置为通过将入射辐射转换成电信号来生成扫描信号；第一信号路径电路，被配置为以第一模式发送扫描信号；第二信号路径电路，被配置为以第二模式发送扫描信号；以及光子计数器，被配置为对来自通过第一信号路径电路和第二信号路径电路之一发送的扫描信号的光子进行计数。

公开(公告)号：CN101197566A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200710159678.4

申请日：2007-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 禹斗馨 ,  朴基灿 ,  金治宇 ,  李相旼 ,  詹志锋 ,  朴圣日

IPC: H03K17/687 ,  G09G3/36

CPC classification number: G09G3/3696 ,  G09G3/3674 ,  G09G2330/02 ,  G09G2330/021 ,  H02M3/073

Abstract: 提供栅极导通电压发生电路、栅极截止电压发生电路和采用这些电路的液晶显示器。栅极导通电压发生电路包括第一电容器，由第一控制信号和第一参考电压充电，用以根据第一控制信号通过第一输出节点输出第一充电电压。第二电容器，由第二控制信号和第一参考电压充电，用以根据第二控制信号输出第二充电电压。第一开关器件，连接在第一电容器和第一输出节点之间，用以选择性地输出第一充电电压到第一输出节点。第二开关器件，由第二充电电压接通，从而将第一参考电压提供给第一电容器，第一和第二开关器件排他性地接通和关断。第三开关器件，由第一充电电压接通，从而将第一参考电压提供给第二电容器。第三开关器件通过将第一参考电压提供给第一和第二开关器件而使第一开关器件接通，并同时使第二开关器件关断。

公开(公告)号：CN1244598A

公开(公告)日：2000-02-16

申请号：CN98122757.0

申请日：1998-12-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣宽 ,  李相忍 ,  朴昌洙 ,  李相旼

IPC: C23C26/00

CPC classification number: H05B33/04 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45561 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31691

Abstract: 本发明提供了一种薄膜制备方法。该方法通过在基片上致密化学吸附第一种反应剂和第二种反应剂,从而利用化学交换形成固态薄膜。根据本发明,由于该第一种反应剂和该第二种反应剂是致密化学吸附的并且通过清洗或抽气完全去除了杂质,故有可能制备膜密度高的精确化学计量薄膜。

公开(公告)号：CN1222765A

公开(公告)日：1999-07-14

申请号：CN98115946.X

申请日：1998-07-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣宽 ,  朴仁善 ,  李相旼 ,  朴昌洙

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/82 ,  H01G4/12

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3162

Abstract: 本发明提供一种使用含硅导电层作为存储节点的高电容的电容器及其形成方法。电容器包括存储节点、非晶Al2O3介质层和平板节点。此时,通过将反应汽相材料提供到存储节点上的方法,例如原子层淀积法形成非晶Al2O3层。此外,在形成非晶Al2O3层之前,对存储节点进行快速热氮化处理。形成平板节点后在约850℃下通过退火致密非晶Al2O3层,由此实现接近理论值30埃的氧化层的等效厚度。