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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119247699A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202410622273.3
申请日：2024-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种优化重叠测量条件的方法，包括：对于多个重叠测量条件中的每个重叠测量条件，测量衬底的多个位置的重叠；对于多个重叠测量条件中的每一个，基于测量的重叠计算关键参数指数(KPI)；对于多个重叠测量条件中的每一个，将KPI转换为基于KPF的关键参数函数(KPF)值，其中，KPF中的每一个具有相同的维度表示；对于多个重叠测量条件中的每一个，整合KPF值以生成整合KPF值；以及基于与多个重叠测量条件中的每一个相关联的整合KPF值，从多个重叠测量条件当中选择优化的重叠测量条件。
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公开(公告)号：CN118248543A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202311686775.4
申请日：2023-12-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/66 , H10B12/00
Abstract: 提供了一种用于使用重叠测量来制造半导体器件的方法、以及通过该方法制造的半导体器件。该方法包括：在衬底上形成下图案，该下图案包括具有第一间距的下重叠键图案；在下图案上形成上图案，该上图案包括具有与第一间距不同的第二间距的上重叠键图案；测量下重叠键图案和上重叠键图案之间的重叠；去除上重叠键图案；以及在去除上重叠键图案之后，使用上图案作为蚀刻掩模来执行蚀刻工艺。
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公开(公告)号：CN118033984A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202311459747.9
申请日：2023-11-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 提供了一种用于有效校正由于晶片台退化引起的叠加的叠加校正方法，以及包括该叠加校正方法的曝光方法和半导体器件制造方法，其中该叠加校正方法包括：获取关于晶片的水准数据；将水准数据转换成叠加数据；通过照射尺寸分割将照射分割成子照射；从叠加数据提取针对每个子照射的模型；以及基于针对每个子照射的模型来校正曝光设备的叠加参数，其中以前馈方法将叠加参数的校正实时应用于晶片的曝光工艺。
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公开(公告)号：CN118016521A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311243315.4
申请日：2023-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/66 , G03F7/20
Abstract: 一种控制半导体工艺的方法，包括：通过向形成在至少一个样本晶片上的第一光刻胶层照射第一剂量的极紫外(EUV)光来形成多个样本套刻键标；确定用于校正从多个样本套刻键标测量的样本套刻误差的样本校正参数；基于第一剂量和第二剂量之间的差来更新样本校正参数；基于经更新的样本校正参数，通过向形成在样本晶片上的第二光刻胶层照射第二剂量的极紫外光来形成多个主套刻键标；基于从多个主套刻键标测量的主套刻误差来确定主校正参数；以及基于主校正参数，对与样本晶片不同的晶片执行光刻工艺。
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公开(公告)号：CN117850177A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311227092.2
申请日：2023-09-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F9/00 , H01L21/66 , H01L21/67 , H01L21/308 , G03F7/20
Abstract: 提供了校正套刻和控制半导体工艺的方法以及半导体处理设备。所述校正套刻的方法包括：通过将从第一掩模反射的极紫外光照射到第一层而在多个第一射击区域中形成第一图案；通过将从第二掩模反射的极紫外光照射到第二层而在多个第二射击区域中的每个中形成第二图案；将一对第二射击区域与每个第一射击区域匹配；以及生成用于校正第二图案的套刻误差的第一校正参数和第二校正参数，其中，第一校正参数被配置为基于与每个第二射击区域匹配的第一射击区域来校正每个第二射击区域的套刻误差，并且第二校正参数被配置为校正与每个第一射击区域匹配的一对第二射击区域之间的套刻误差。
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