公开(公告)号：CN104036064A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410082148.4

申请日：2014-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权义熙 ,  瓦西里·扎柏林 ,  名仓幸雄 ,  李根浩

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5009

Abstract: 提供了一种用于对半导体器件进行仿真的设备和相关操作方法。所述设备包括：数据输入模块，被配置为接收包括第一区域和第二区域的半导体器件的结构性数据；空间离散产生模块，被配置为通过将第一区域划分为第一型网格并将第二区域划分为不同于第一型网格的第二型网格，来使用结构性数据划分半导体器件的空间。

公开(公告)号：CN101261995B

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN200810092022.X

申请日：2008-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李丞哲 ,  崔炳镕 ,  李忠浩 ,  李根浩

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/522 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11521 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/3418 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11524

Abstract: 一种非易失性存储器件包括第一导电类型的半导体衬底、在半导体衬底上的多条字线，每一条字线包括第二导电类型的浮栅。地选择线和串选择线位于字线的各侧。第二导电类型的掺杂区位于与地选择线相邻的第一字线之下。该器件还可以进一步包括第二导电类型的第二掺杂区，其位于与串选择线相邻的第二字线之下。在其它实施方式中，该器件可以进一步包括第二导电类型的第三掺杂区，其位于第一字线和第二字线之间的各第三字线之下。而且还提供了形成此类器件的方法。