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公开(公告)号:CN110277501B
公开(公告)日:2024-11-01
申请号:CN201910192538.X
申请日:2019-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K50/115 , H10K50/165 , H10K50/16 , H10K71/00 , B82Y30/00
Abstract: 提供电致发光器件、其形成方法和包括其的显示装置。电致发光器件包括:彼此面对的第一电极和第二电极;设置在第一电极和第二电极之间并包括发光颗粒的发射层;设置在第一电极和发射层之间的电子传输层;以及设置在第二电极和发射层之间的空穴传输层,其中电子传输层包括无机氧化物颗粒和金属有机化合物,所述金属有机化合物或所述金属有机化合物的热分解产物可溶于非极性溶剂中。
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公开(公告)号:CN110246987B
公开(公告)日:2024-11-01
申请号:CN201910180460.X
申请日:2019-03-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K50/115 , H10K71/00 , B82Y40/00 , C09K11/54 , C09K11/88
Abstract: 本发明涉及量子点、其制造方法、电致发光器件和显示设备。量子点包括:包括包含锌、碲和硒的第一半导体纳米晶体材料的芯;以及设置在所述芯上(例如,直接设置在所述芯上)并且包括锌、硒和硫的半导体纳米晶体壳,其中所述量子点不包括镉,其中所述量子点的尺寸大于或等于约10纳米(nm)且所述量子点包括至少四个突起。还公开了其制造方法和包括其的电子器件。
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公开(公告)号:CN110172348B
公开(公告)日:2023-12-01
申请号:CN201910140377.X
申请日:2019-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K11/88 , H10K50/115 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 公开了半导体纳米晶体颗粒、其制造方法、和包括其的量子点群及发光器件。所述半导体纳米晶体颗粒包括:包括第一半导体纳米晶体的芯;包围所述芯的第一壳,所述第一壳包括第二半导体纳米晶体,所述第二半导体纳米晶体包括与所述第一半导体纳米晶体不同的组成;包围所述第一壳的第二壳,所述第二壳包括第三半导体纳米晶体,所述第三半导体纳米晶体包括与所述第二半导体纳米晶体不同的组成,其中所述第一半导体纳米晶体包括锌和硫;其中所述第三半导体纳米晶体包括锌和硫;其中所述第二半导体纳米晶体的能带隙小于所述第一半导体纳米晶体的能带隙和小于所述第三半导体纳米晶体的能带隙;和其中所述半导体纳米晶体颗粒不包括镉。
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公开(公告)号:CN108110144B
公开(公告)日:2021-11-26
申请号:CN201711176209.3
申请日:2017-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开包括量子点的发光器件和显示器件。所述发光器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括量子点的发光层,其中所述量子点包括半导体纳米晶体和结合至所述半导体纳米晶体的表面的配体,和其中所述配体包括有机硫醇配体或其盐和包含金属的多价金属化合物,所述金属包括Zn、In、Ga、Mg、Ca、Sc、Sn、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Cd、Ba、Au、Hg、Tl、或其组合。所述显示器件包括所述发光器件。
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公开(公告)号:CN107433746B
公开(公告)日:2021-10-08
申请号:CN201710294080.X
申请日:2017-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开层状结构体和量子点片材以及包括其的电子装置。所述层状结构体具有第一层,所述第一层包括包含如下的单体组合的聚合产物:在其末端处具有至少两个硫醇基团的第一单体、和在其末端处具有至少两个包含碳‑碳不饱和键的基团的第二单体,其中所述第一单体包括:包含巯基乙酸酯部分的由化学式1‑1表示的第一硫醇化合物、和由化学式1‑2表示的第二硫醇,和其中所述第二单体包括由化学式2表示的烯化合物,其中在化学式1‑1、1‑2、和2中,基团和变量与说明书中描述的相同。化学式1‑1化学式1‑2化学式2
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公开(公告)号:CN110797467A
公开(公告)日:2020-02-14
申请号:CN201910715926.1
申请日:2019-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开发光器件、其制造方法和包括其的显示设备。所述发光器件包括:彼此面对的第一电极和第二电极、设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括量子点的发射层、以及设置在所述发射层和所述第二电极之间并且包括多个纳米颗粒的电子辅助层,其中所述纳米颗粒包括包含锌的金属氧化物,其中所述第二电极具有面对所述电子辅助层的表面的第一表面以及与所述第一表面相反的第二表面,所述发光器件包括设置在所述第二表面的至少一部分和所述电子辅助层的所述表面的至少一部分上的聚合物层,其中所述聚合物层包括包含如下的单体组合的聚合产物:具有至少一个硫醇基团的硫醇化合物、和具有至少两个碳-碳不饱和键的不饱和化合物。
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公开(公告)号:CN110240896A
公开(公告)日:2019-09-17
申请号:CN201910180450.6
申请日:2019-03-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及量子点以及包括其的电致发光器件和电子器件。量子点包括:包括包含锌、碲和硒的第一半导体纳米晶体材料的芯;以及设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳,所述半导体纳米晶体壳包括锌、硒和硫,其中所述量子点不包括镉,并且在所述量子点中,硫相对于硒的摩尔比小于或等于约2.4:1。还公开了制造所述量子点的方法和包括其的电子器件。
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公开(公告)号:CN107768541A
公开(公告)日:2018-03-06
申请号:CN201710710708.X
申请日:2017-08-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/502 , H01L51/5215 , H01L51/5218 , H01L51/5231 , H01L51/5262 , H01L51/5265 , H01L51/5275 , H01L2251/5353
Abstract: 本公开提供了一种电子器件以及包括该电子器件的显示装置。一种电子器件包括:彼此面对的第一电极和第二电极;包含多个量子点的发射层,其中发射层设置在第一电极和第二电极之间;第一电荷辅助层,设置在第一电极和发射层之间;以及光学功能层,设置在第二电极上且在与发射层相反的一侧,其中第一电极包括反射电极,其中第二电极是光透射电极,其中光学功能层和第一电极之间的区域包括微腔结构,并且光学功能层的折射率大于或等于第二电极的折射率。
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公开(公告)号:CN112442371A
公开(公告)日:2021-03-05
申请号:CN202010895937.5
申请日:2020-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及量子点、其制造方法、包括其的量子点群和电致发光器件。量子点包括:包括第一半导体纳米晶体的芯,所述第一半导体纳米晶体包括锌硫属化物;和设置在所述芯的表面上并且包括锌、硒和硫的半导体纳米晶体壳。所述量子点不包括镉,发射蓝色光,并呈现出具有闪锌矿结构的(100)面的通过透射电子显微镜图像的快速傅里叶变换获得的数字衍射图样,并且在所述量子点的X射线衍射光谱中,缺陷峰面积相对于闪锌矿晶体结构的峰面积的比小于约0.8:1。还公开了制造所述量子点的方法和包括所述量子点的电致发光器件。
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公开(公告)号:CN110246987A
公开(公告)日:2019-09-17
申请号:CN201910180460.X
申请日:2019-03-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及量子点、其制造方法、电致发光器件和显示设备。量子点包括:包括包含锌、碲和硒的第一半导体纳米晶体材料的芯;以及设置在所述芯上(例如,直接设置在所述芯上)并且包括锌、硒和硫的半导体纳米晶体壳,其中所述量子点不包括镉,其中所述量子点的尺寸大于或等于约10纳米(nm)且所述量子点包括至少四个突起。还公开了其制造方法和包括其的电子器件。
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