半导体纳米晶体颗粒、其制造方法、和包括其的量子点群及发光器件

    公开(公告)号:CN110172348B

    公开(公告)日:2023-12-01

    申请号:CN201910140377.X

    申请日:2019-02-21

    Abstract: 公开了半导体纳米晶体颗粒、其制造方法、和包括其的量子点群及发光器件。所述半导体纳米晶体颗粒包括:包括第一半导体纳米晶体的芯;包围所述芯的第一壳,所述第一壳包括第二半导体纳米晶体,所述第二半导体纳米晶体包括与所述第一半导体纳米晶体不同的组成;包围所述第一壳的第二壳,所述第二壳包括第三半导体纳米晶体,所述第三半导体纳米晶体包括与所述第二半导体纳米晶体不同的组成,其中所述第一半导体纳米晶体包括锌和硫;其中所述第三半导体纳米晶体包括锌和硫;其中所述第二半导体纳米晶体的能带隙小于所述第一半导体纳米晶体的能带隙和小于所述第三半导体纳米晶体的能带隙;和其中所述半导体纳米晶体颗粒不包括镉。

    包括量子点的发光器件和显示器件

    公开(公告)号:CN108110144B

    公开(公告)日:2021-11-26

    申请号:CN201711176209.3

    申请日:2017-11-22

    Abstract: 公开包括量子点的发光器件和显示器件。所述发光器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括量子点的发光层,其中所述量子点包括半导体纳米晶体和结合至所述半导体纳米晶体的表面的配体,和其中所述配体包括有机硫醇配体或其盐和包含金属的多价金属化合物,所述金属包括Zn、In、Ga、Mg、Ca、Sc、Sn、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Cd、Ba、Au、Hg、Tl、或其组合。所述显示器件包括所述发光器件。

    发光器件、其制造方法和包括其的显示设备

    公开(公告)号:CN110797467A

    公开(公告)日:2020-02-14

    申请号:CN201910715926.1

    申请日:2019-08-05

    Abstract: 公开发光器件、其制造方法和包括其的显示设备。所述发光器件包括:彼此面对的第一电极和第二电极、设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括量子点的发射层、以及设置在所述发射层和所述第二电极之间并且包括多个纳米颗粒的电子辅助层,其中所述纳米颗粒包括包含锌的金属氧化物,其中所述第二电极具有面对所述电子辅助层的表面的第一表面以及与所述第一表面相反的第二表面,所述发光器件包括设置在所述第二表面的至少一部分和所述电子辅助层的所述表面的至少一部分上的聚合物层,其中所述聚合物层包括包含如下的单体组合的聚合产物:具有至少一个硫醇基团的硫醇化合物、和具有至少两个碳-碳不饱和键的不饱和化合物。

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