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11.

发明公开
存储器装置审中-公开

公开(公告)号：CN119835937A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202411104438.4

申请日：2024-08-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌永 , 郑尚勋 , 朴荣奭 , 俞昌植

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了存储器装置。所述存储器装置包括：多个子阵列区域，在第一水平方向和第二水平方向上间隔布置，并且每个子阵列区域包括多个存储器单元，第一水平方向与第二水平方向交叉；虚设区域，设置在所述多个子阵列区域之间，虚设区域包括在第一层处在第一水平方向上延伸的第一金属图案、在第一金属图案的第一部分上在竖直方向上延伸的第一下接触件、以及在第一金属图案的第二部分上在竖直方向上延伸的第二下接触件；以及外围电路区域，包括连接到第一下接触件的第一上接触件、连接到第一上接触件的第一电路、连接到第二下接触件的第二上接触件、以及连接到第二上接触件的第二电路。

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