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11.

发明授权
半导体存储器件及其布设信号和电源线的方法有权

公开(公告)号：CN100424877C

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200510081784.6

申请日：2005-06-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李在永 , 权赫准 , 金致旭 , 金成勋 , 朴润植

IPC: H01L27/108 , H01L21/8242 , H01L21/768

Abstract: 本发明涉及一种使用例如同步动态随机存取存储器(SDRAM)电路的方法和利用该方法形成的器件。在一个所描述的实施例中，在SDRAM的存储阵列部件的上方淀积并依次构图三层金属层。相对较宽的电源导线被布设于第三金属层上，使得第一和第二金属层上的电源导线在尺寸上缩短或者在一些情况下可以去除。所述相对较宽的电源导线因而能够为存储阵列提供更稳定的供电，并且也能在第一和/或第二金属上空出一部分空间以用于布设附加的和/或占用更宽空间的信号线。还描述和要求了其它的实施例。

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