公开(公告)号：CN107256718B

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN201710229623.X

申请日：2012-02-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜相喆 ,  权锡千 ,  李秀雄

IPC: G11C11/56 ,  G11C16/04 ,  G11C16/06 ,  G11C16/10 ,  G11C16/30 ,  G11C16/34

Abstract: 一种非易失性存储器件，包括：非易失性存储器单元阵列，包括多个字线；电压产生器，配置为使用电源电压产生第一高电压以及使用高于电源电压的外部电压产生第二高电压；和字线选择电路。所述字线选择电路被配置为在存储器单元阵列的编程操作期间将第一高电压施加到多个字线中所选择的字线，以及将第二高电压施加到多个字线中未选择的字线。

公开(公告)号：CN107256718A

公开(公告)日：2017-10-17

申请号：CN201710229623.X

申请日：2012-02-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜相喆 ,  权锡千 ,  李秀雄

IPC: G11C11/56 ,  G11C16/04 ,  G11C16/06 ,  G11C16/10 ,  G11C16/30 ,  G11C16/34

CPC classification number: G11C16/30 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/06 ,  G11C16/10 ,  G11C16/3436

Abstract: 一种非易失性存储器件，包括：非易失性存储器单元阵列，包括多个字线；电压产生器，配置为使用电源电压产生第一高电压以及使用高于电源电压的外部电压产生第二高电压；和字线选择电路。所述字线选择电路被配置为在存储器单元阵列的编程操作期间将第一高电压施加到多个字线中所选择的字线，以及将第二高电压施加到多个字线中未选择的字线。

公开(公告)号：CN106469875A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201610639241.X

申请日：2016-08-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权锡千 ,  李宰范 ,  李锡宪

IPC: H01R13/46 ,  H01R12/71 ,  G06K19/077

Abstract: 本公开涉及存储卡适配器。例如，一种存储卡适配器可以被提供，所述存储卡适配器包含与第一标准的存储卡插座相应的壳体部分，壳体部分包括：卡安置部分，所述卡安置部分被配置为在其中安置与第一标准不同的第二标准的存储卡；壳体部分的限定通孔的第一表面，通孔配置为将安置在壳体部分中的存储卡的连接引脚暴露于壳体部分的外部；以及壳体部分的限定卡插入孔的第二表面，第二表面与第一表面不同，卡插入孔配置为接收存储卡进卡安置部分内。

公开(公告)号：CN1307532C

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN03125037.8

申请日：2003-03-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔永准 ,  权锡千 ,  李锡宪 ,  李栽荣

IPC: G06F9/06 ,  G06F9/445 ,  G06F12/00 ,  G06F13/14

CPC classification number: G06F9/4403 ,  G06F9/4406 ,  G06F9/44573

Abstract: 提供用于使用NAND闪速存储引导计算设备的系统和方法。将存储在NAND闪速存储器中的引导程序代码传送到RAM用于CPU执行。将存储在NAND闪速存储器中的操作系统程序传送给系统存储器用于在系统引导后由CPU执行。