公开(公告)号：CN105720092A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201510953933.7

申请日：2015-12-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权五成 ,  张镇圭 ,  金完敦 ,  罗勋奏 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28

Abstract: 本公开提供了半导体器件以及制造该半导体器件的方法，该半导体器件配置为通过在势垒层之间形成氧化物层来阻挡物理扩散路径从而防止杂质通过势垒层之间的物理扩散路径扩散。该半导体器件包括：栅绝缘层，形成在基板上；第一势垒层，形成在栅绝缘层上；氧化物层，形成在第一势垒层上，该氧化物层包括通过氧化第一势垒层中包含的材料而形成的氧化物；第二势垒层，形成在氧化物层上；栅电极，形成在第二势垒层上；以及源极/漏极，在基板中设置在栅电极的相反两侧。

公开(公告)号：CN102543964A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110364899.1

申请日：2011-11-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权五成 ,  曹圭镐 ,  金完敦 ,  金汎锡 ,  卓容奭

IPC: H01L23/64 ,  H01L21/02 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10876 ,  H01L28/65

Abstract: 本发明提供了电容器及其形成方法、半导体存储器装置及其制造方法。一种半导体存储器装置中的电容器包括：下电极，形成在基板上，所述下电极由具有金红石晶体结构的导电金属氧化物形成；氧化钛介电层，在下电极上，氧化钛介电层具有金红石晶体结构并包括用于减小漏电流的杂质；上电极，位于氧化钛介电层上。一种形成半导体存储器装置中的电容器的方法包括以下步骤：在基板上形成下电极，所述下电极包括具有金红石晶体结构的导电金属氧化物；在下电极上形成氧化钛介电层，氧化钛介电层具有金红石晶体结构并具有用于减小漏电流的杂质；在氧化钛介电层上形成上电极。