-
-
公开(公告)号：CN108630273A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810213312.9
申请日：2018-03-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0038 , G11C13/0023 , G11C13/0033 , G11C13/0069 , G11C2213/71 , G11C13/0026 , G11C13/0028 , G11C13/004
Abstract: 本发明提供了一种存储器件的操作方法。使用统计模型来确定存储单元的可变电阻器的电阻Rdyn和该电阻Rdyn的变化ΔRdyn。基于电阻Rdyn和该电阻Rdyn的变化ΔRdyn来确定可变电阻器的平均电阻Rdyn_avg和β值。然后，使用平均电阻Rdyn_avg和β值来确定连接在存储单元与用于产生电源电压VPGM的电源发生器之间的插入电阻器的电阻Ra。
-
公开(公告)号：CN108281167A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201711247786.7
申请日：2017-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G06F11/1048 , G06F11/1068 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0002 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C13/004 , G11C29/52 , G11C2013/0076 , G11C2029/0411 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/76 , G11C2213/79 , G11C13/0021
Abstract: 提供了具有电阻变化材料的存储器件和该存储器件的操作方法。存储器件包括：存储器单元阵列，包括根据电阻的变化存储不同的数据的第一电阻式存储器单元和第二电阻式存储器单元；缓冲器，包括分别与第一电阻式存储器单元和第二电阻式存储器单元相对应的第一存储区域和第二存储区域；以及控制电路，接收要编程到存储器单元阵列的程序数据，比较存储在第一存储区域中的第一数据和存储在第一电阻式存储器单元中的第二数据，并且作为比较的结果，确定第一存储区域和第二存储区域中的一个作为程序数据要被写入到的存储区域。
-
公开(公告)号：CN105702285A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201510925446.X
申请日：2015-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0026 , G11C11/1655 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/2255 , G11C13/0028 , G11C13/004 , G11C13/0069
Abstract: 提供了一种电阻式存储器装置和一种列解码器，所述电阻式存储器装置包括：列解码器，具有第一开关单元和第二开关单元，第一开关单元包括与多条信号线中的每条对应地布置的至少一个开关对，第二开关单元包括与第一开关单元的所述至少一个开关对对应地布置的一个开关对。第一开关单元的第一开关对包括相同类型的第一开关和第二开关，第二开关单元的第二开关对包括连接到第一开关对的第三开关和第四开关。选择电压通过经由第一开关被提供到第一信号线，抑制电压通过选择性地经由第一开关或第二开关被提供至第一信号线。
-
公开(公告)号：CN108735247B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201710243378.8
申请日：2017-04-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C5/14
Abstract: 公开了一种驱动器电路。驱动器电路包括箝位晶体管、比较电压晶体管、放大晶体管、偏置晶体管以及充电电路。比较电压晶体管被配置为提供比较电压。放大晶体管包括连接到箝位晶体管的第一节点的放大栅极、被配置为接收比较电压的第一放大节点以及连接到箝位晶体管的栅极的第二放大节点。偏置晶体管被配置为供给偏置电压。充电电路进行以下中的至少一个：被配置为通过箝位晶体管从第一节点汲取电流以及被配置为通过箝位晶体管向第一节点供给电流。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116168739A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211464916.3
申请日：2022-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器设备及其操作方法调整字线电压的斜率。该存储器设备包括：存储器单元阵列，包括多个单元串；电压产生电路，被配置为产生提供给多个字线的字线电压；以及控制逻辑，被配置为输出调整从电压产生电路提供的字线电压的电压电平变化特性的斜率控制信号，其中在存储器设备的读取操作的预脉冲时段期间，提供给包括一个或多个字线的边缘组的第一字线电压的斜率大于提供给包括中心区中的一个或多个字线的中心组的第二字线电压的斜率，该边缘组与串选择线相邻。
-
公开(公告)号：CN115547387A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202210723555.3
申请日：2022-06-23
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴贤国
Abstract: 公开了检测漏电流的存储器装置及其操作方法，所述操作方法包括：使与第一字线对应的第一驱动线从第一字线浮置，并利用第一电压对第一驱动线预充电；使第一驱动线从第一电压浮置以感测第一驱动线的第一电压变化；将第一电压变化存储在第一电容器中；将第一驱动线电连接到第一字线，并利用第一电压对第一驱动线和第一字线预充电；使第一驱动线和第一字线从第一电压浮置，以感测第一驱动线和第一字线的第二电压变化；以及基于第一电压变化和第二电压变化，输出与通过第一字线的第一漏电流对应的第一检测信号。
-
公开(公告)号：CN108281167B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN201711247786.7
申请日：2017-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 提供了具有电阻变化材料的存储器件和该存储器件的操作方法。存储器件包括：存储器单元阵列，包括根据电阻的变化存储不同的数据的第一电阻式存储器单元和第二电阻式存储器单元；缓冲器，包括分别与第一电阻式存储器单元和第二电阻式存储器单元相对应的第一存储区域和第二存储区域；以及控制电路，接收要编程到存储器单元阵列的程序数据，比较存储在第一存储区域中的第一数据和存储在第一电阻式存储器单元中的第二数据，并且作为比较的结果，确定第一存储区域和第二存储区域中的一个作为程序数据要被写入到的存储区域。
-
公开(公告)号：CN105632558B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201510822283.2
申请日：2015-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请公开了包括多电平单元的存储器件及其操作方法。操作存储器件的方法包括：通过多个感测操作相对于多电平单元执行第一读操作以确定第一状态；和通过多个感测操作相对于多电平单元执行第二读操作以确定第二状态。在第一读操作中在第一感测操作中使用的第一电压的电平与在第二感测操作中使用的第二电压的电平不同于在第二读操作中在第一感测操作中使用的第三电压的电平与在第二感测操作中使用的第四电压的电平之间的差。
-
公开(公告)号：CN105280221B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201510394733.2
申请日：2015-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 提供了电阻型存储器装置和操作电阻型存储器装置的方法。操作电阻型存储器装置的方法包括：响应于写命令来对存储器单元执行预读取操作；对将被执行重置写操作的一个或更多个第一存储器单元执行擦除操作，所述一个或更多个第一存储器单元是基于得自预读取操作的预读取数据与写数据的比较结果而确定的；对被擦除的所述一个或更多个第一存储器单元之中的至少一些存储器单元并且对将被执行设置写操作的一个或更多个第二存储器单元执行设置方向编程。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
39
records
(took 0.023 seconds)
