电平位移器和具有电平位移器的显示装置

    公开(公告)号:CN1913356B

    公开(公告)日:2010-05-12

    申请号:CN200610090045.8

    申请日:2006-06-22

    CPC classification number: H03K3/356165

    Abstract: 本发明提供了一种电平位移器和具有该电平位移器的显示装置。在电平位移器中,第一晶体管包括:栅电极,用于接收第一驱动电压;以及源电极,通过输入端接收输入信号。第二晶体管包括:漏电极,用于接收第一驱动电压;以及源电极,通过第一节点电连接到第一晶体管的漏电极。第三晶体管包括:源电极,用于接收第二驱动电压;漏电极,通过第二节点电连接到第二晶体管的栅电极;以及栅电极,用于接收输入信号。第四晶体管包括:漏电极,用于接收第一驱动电压;栅电极,通过第一节点电连接到第一晶体管的漏电极;以及源电极,通过第二节点电连接到第三晶体管的漏电极。反相器将从第二节点输出的信号反相,以将反相后的信号施加到输出端。

    用于显示器的薄膜晶体管阵列面板

    公开(公告)号:CN100403144C

    公开(公告)日:2008-07-16

    申请号:CN200410099791.4

    申请日:2004-12-03

    CPC classification number: G02F1/1345 G02F1/136259 H01L27/12

    Abstract: 提供一种TFT阵列面板,包括一绝缘衬底,水平设置在绝缘衬底上的栅极线,从栅极线隔开的并与栅极线交叉的数据线,位于通过交叉栅极线和数据线而限定的像素区中的像素电极,响应于多条栅极线传输的扫描信号,用于传输或截取通过多条数据线传送到像素电极的图像信号的TFT,用于将来自于输入线的图像信号输入分配到多条数据线的传输栅极,以及与传输栅极的输入线交叉的修理线。因此,由于输入修理线和传输栅极的输入线交叉,产生在修理线和传输栅极的输入线之间的寄生电容可以被减小。

    液晶显示器的多晶硅薄膜晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:CN1258230C

    公开(公告)日:2006-05-31

    申请号:CN01133118.6

    申请日:2001-09-14

    Abstract: 本发明公开了一种用于LCD的多晶硅TFT及其制造方法。TFT包括成型在基板上的有效构图,成型在包括有效构图的基板上的栅绝缘层,成型在栅绝缘层上而横穿该有效构图且包括用于确定第一杂质区、第二杂质区和沟道区的栅电极的栅线,成型在包括栅线的栅绝缘层上的绝缘中间层,成型在绝缘中间层上且通过第一接触孔与第二杂质区相连的数据线,以及形成在绝缘中间层上、由与数据线相同的材料成型且通过第二接触孔与第一杂质区相连的象素电极,其中第一接触孔通过栅绝缘层和绝缘中间层成型在第二杂质区上,第二接触孔通过栅绝缘层和绝缘中间层成型在第一杂质区上。掩膜的数量可以减少到5或6张,因而简化了生产工艺。

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