公开(公告)号：CN115440753A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202210527472.7

申请日：2022-05-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 琴东旻 ,  金泰汉 ,  金范锡 ,  朴俊城 ,  李光熙 ,  李允基

IPC: H01L27/146

Abstract: 公开了图像传感器的像素阵列及其制造方法和图像传感器。所述图像传感器的像素阵列包括多个像素组。每个像素组包括：多个单位像素，彼此相邻并且分别包括设置在半导体基底中的光电转换元件；滤色器，由所述多个单位像素共用；以及多个微透镜，设置在滤色器上并且具有彼此不同的尺寸，使得所述多个微透镜将入射光分别聚焦到包括在所述多个单位像素中的光电转换元件。通过调整微透镜的尺寸，减小了单位像素的感测灵敏度的偏差并且增强了由图像传感器捕获的图像的质量。

公开(公告)号：CN114598794A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202111464430.5

申请日：2021-12-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李太星 ,  琴东旻 ,  金范锡 ,  金镇浩 ,  朴俊城 ,  李光熙 ,  李东奎 ,  李允基

IPC: H04N5/225 ,  H04N5/232 ,  H04N5/357 ,  H04N5/369 ,  H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括普通像素、第一自动聚焦(AF)像素和第二AF像素，普通像素、第一AF像素和第二AF像素中的每个包括光电二极管。图像传感器还包括设置在普通像素上的普通微透镜以及设置在第一AF像素和第二AF像素上的第一AF微透镜。普通像素的光电二极管、第一AF像素的光电二极管和第二AF像素的光电二极管分别设置在半导体衬底的光电检测区中。第一AF微透镜从半导体衬底的顶表面起在垂直方向上的高度大于普通微透镜从半导体衬底的顶表面起在垂直方向上的高度。

公开(公告)号：CN111354755A

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN202010119013.6

申请日：2019-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李允基 ,  朴钟勋 ,  朴俊城

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括：基底；光电二极管，位于基底中；第一开口，位于光电二极管上方；多个子膜，覆盖第一开口，其中，所述多个子膜包括第一子膜和第二子膜；遮光层，形成在所述多个子膜上方；第二开口，形成在遮光层中；平坦化层，形成在遮光层上方；以及透镜，设置在平坦化层上方，其中，第一开口与第二开口竖直地对准。

公开(公告)号：CN111354750A

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201910688062.9

申请日：2019-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李允基 ,  朴钟勋 ,  朴俊城

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了背侧照明(BSI)图像传感器。一种BSI图像传感器包括基板和多个像素，该多个像素配置为响应于入射在基板上的光而产生电信号。多个像素中的每个包括：光电二极管；红外辐射(IR)截止滤波器，在光电二极管之上；遮光图案，在光电二极管之上并包括对应于多个像素中的每个的1％至15％的面积的开口；平坦化层，在遮光图案上；以及透镜，在平坦化层上。

公开(公告)号：CN111325125A

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN202010088100.X

申请日：2018-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金笵锡 ,  李允基 ,  金正生 ,  朴钟勋 ,  朴俊城 ,  文昌碌

IPC: G06K9/00

Abstract: 提供了一种电子装置，所述电子装置可包括光电元件、位于光电元件上的屏蔽层以及位于屏蔽层上的滤色器结构。屏蔽层可限定位于光电元件之上的第一开口。滤色器结构可限定位于光电元件和第一开口之上的第二开口。滤色器结构可从面对滤色器结构的视角呈现黑暗。